Simcenter Micred T3STER瞬态热阻测试仪

Simcenter Micred T3STER

瞬态热阻测试仪

通过高精度、可重复的热瞬态测试技术和结构功能分析，对封装半导体器件进行热表征。

为何选择Simcenter Micred T3STER？

Simcenter Micred T3STER是一款先进的无损瞬态热测试器，通过测试施工现场的元件，对封装半导体装置（二极管、双极型晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极晶体管、电源LED指示灯）和多晶片装置进行热特性分析。该测试器能够比稳态方法更有效地测量真正的热瞬态响应。测量结果偏差最多为±0.01°C，而解算时间最多为1 微秒，因此可产生精确的热测量值。

结构函数对响应进行后处理，将其绘图以显示封装特征在热流通道上的热阻值和电容量。Simcenter Micred T3STER是一款理想的前处理和后处理应力失效检测工具。测量结果可导出用于热模型校准，从而增强热设计工作的准确性。只需一次测试即可更快地获得结果Simcenter Micred T3STER易于使用且快速。其产生完全可重复的结果，因此每项测试只需要执行一次。Simcenter Micred T3STER仅使用电气连接对封装IC进行供电和检测测试，提供快速可重复的结果，并且无需对同一器件进行多次测试。部件可原位进行测试，测试结果可用作紧凑的热模型或校准详细模型。

测试所有类型的封装半导体实际上，所有类型的封装半导体都可以进行测试，从功率二极管和晶体管到大型且高度复杂的数字IC，包括安装在电路板上的部件，甚至封装到产品中。简而言之，将功率脉冲注入部件中，并非常准确地记录其温度响应随时间的变化。半导体本身既用于为零件供电，也用于使用芯片表面上的温度敏感参数（例如晶体管或二极管结构）检测温度响应。访问可靠的软件Simcenter Micred T3STER随附的软件为相关解算方案带来了许多价值。这是因为 Simcenter Micred T3STER软件可获取温度与时间的轨迹，并将其转换为所谓的结构函数。在此图中可以检测到封装的离散特征（例如芯片贴装），使Simcenter Micred T3STER成为产品开发中出色的诊断工具。该图还可用于校准Simcenter Flotherm中的详细3D热模型，创建芯片封装的热模型预测空间和时间温度，准确率高达99+%。

Simcenter T3STER功能

热测试此系列热特性分析硬件解决方案赋能部件和系统供应商准确高效地测试、测量半导体集成电路封装、单个和阵列LED、堆叠和多晶片封装、动力电子模块、导热介质 (TIM)属性和完整电子系统，并对热特性进行表征。我们的硬件解决方案可直接连续实时测量封装半导体器件的实际加热或冷却曲线，而不是根据多个单独测试的结果人为地将其组合在一起。以这种方式测量真正的热瞬态响应更加高效且准确，因而可获得比稳态方法更准确的热测量值。每个样本只需要进行一次测量，无需像稳态方法那样重复测量并取平均值。