0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

腔室压力对刻蚀的影响

中科院半导体所 ? 来源:Tom聊芯片智造 ? 2024-12-17 18:11 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

本文介绍了腔室压力对刻蚀的影响。

腔室压力是如何调节的?对刻蚀的结果有什么影响?

3d60705e-bb96-11ef-8732-92fbcf53809c.png

什么是腔室压力? 腔室压力是指在刻蚀设备的工艺腔室内的气体压力,通常以托(Torr)或帕斯卡(Pa)为单位。

腔室压力由什么决定的?

1,气体流量越高,压力越大。

2,真空泵排气,泵速越高,腔室压力越低。

腔室压力对于刻蚀的影响

1,离子轰击能量。低压力,分子平均自由程大,离子的碰撞几率小,能量耗散少,故能量高。

2,离子与自由基的比例。低压力时,离子的比例高,有利于物理刻蚀。高压力时,自由基比例高,有利于化学刻蚀。

3,刻蚀均匀性。高压力时,高频碰撞会使气体流速降低,自由基更容易扩散到晶圆表面各处,包括边缘区域,整个晶圆表面接触到的反应物浓度均匀,刻蚀速率趋于一致。

总结 随着腔室压力的提高,刻蚀反应逐渐由物理刻蚀到物理+化学刻蚀到化学刻蚀所转变。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 工艺
    +关注

    关注

    4

    文章

    690

    浏览量

    29531
  • 刻蚀
    +关注

    关注

    2

    文章

    208

    浏览量

    13455

原文标题:腔室压力对刻蚀有什么影响?

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    激光焊接技术在焊接压力组件工艺中的应用

    焊接压力组件工艺中的应用。 激光焊接技术在焊接压力组件工艺中的应用优势: 1.高能量密度与深宽比:激光束聚焦后可达极高功率密度,实现“深熔焊”效应,单道焊接即可获得大深宽比焊缝,显
    的头像 发表于 07-21 14:50 ?103次阅读
    激光焊接技术在焊接<b class='flag-5'>压力</b><b class='flag-5'>腔</b>组件工艺中的应用

    EastWave应用:垂直表面激光器

    谐振的共振频率和品质因子,除受长度影响外,还可能取决于表面的褶皱程度。本例在光子晶体谐振的表面,设计了波浪形的激光工作物质,组成垂直
    发表于 05-12 08:57

    芯片刻蚀原理是什么

    芯片刻蚀是半导体制造中的关键步骤,用于将设计图案从掩膜转移到硅片或其他材料上,形成电路结构。其原理是通过化学或物理方法去除特定材料(如硅、金属或介质层),以下是芯片刻蚀的基本原理和分类: 1. 刻蚀
    的头像 发表于 05-06 10:35 ?609次阅读

    EastWave应用:垂直表面激光器

    谐振的共振频率和品质因子,除受长度影响外,还可能取决于表面的褶皱程度。本例在光子晶体谐振的表面,设计了波浪形的激光工作物质,组成垂直
    发表于 02-24 09:03

    等离子体刻蚀和湿法刻蚀有什么区别

    等离子体刻蚀和湿法刻蚀是集成电路制造过程中常用的两种刻蚀方法,虽然它们都可以用来去除晶圆表面的材料,但它们的原理、过程、优缺点及适用范围都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蚀原理和机制的
    的头像 发表于 01-02 14:03 ?752次阅读

    半导体湿法刻蚀残留物的原理

    半导体湿法刻蚀残留物的原理涉及化学反应、表面反应、侧壁保护等多个方面。 以下是对半导体湿法刻蚀残留物原理的详细阐述: 化学反应 刻蚀剂与材料的化学反应:在湿法刻蚀过程中,
    的头像 发表于 01-02 13:49 ?670次阅读

    芯片湿法刻蚀方法有哪些

    芯片湿法刻蚀方法主要包括各向同性刻蚀和各向异性刻蚀。为了让大家更好了解这两种方法,我们下面准备了详细的介绍,大家可以一起来看看。 各向同性刻蚀 定义:各向同性
    的头像 发表于 12-26 13:09 ?979次阅读

    ALE的刻蚀原理?

    一层原子。? ? ?? ALE的刻蚀原理? 如上图,是用Cl2刻蚀Si的ALE反应示意图。 第一步:向工艺中通入刻蚀气体Cl2,Cl2吸附在目标材料Si上并与之发生反应,生成SiCl
    的头像 发表于 12-20 14:15 ?1114次阅读
    ALE的<b class='flag-5'>刻蚀</b>原理?

    芯片制造中的湿法刻蚀和干法刻蚀

    在芯片制造过程中的各工艺站点,有很多不同的工艺名称用于除去晶圆上多余材料,如“清洗”、“刻蚀”、“研磨”等。如果说“清洗”工艺是把晶圆上多余的脏污、particle、上一站点残留物去除掉,“刻蚀
    的头像 发表于 12-16 15:03 ?1447次阅读
    芯片制造中的湿法<b class='flag-5'>刻蚀</b>和干法<b class='flag-5'>刻蚀</b>

    湿法刻蚀步骤有哪些

    说到湿法刻蚀了,这个是专业的技术。我们也得用专业的内容才能给大家讲解。听到这个工艺的话,最专业的一定就是讲述湿法刻蚀步骤。你知道其中都有哪些步骤吗?如果想要了解,今天是一个不错的机会,我们一起学习
    的头像 发表于 12-13 14:08 ?865次阅读

    芯片制造过程中的两种刻蚀方法

    本文简单介绍了芯片制造过程中的两种刻蚀方法 ? 刻蚀(Etch)是芯片制造过程中相当重要的步骤。 刻蚀主要分为干刻蚀和湿法刻蚀。 ①干法
    的头像 发表于 12-06 11:13 ?1757次阅读
    芯片制造过程中的两种<b class='flag-5'>刻蚀</b>方法

    刻蚀工艺的参数有哪些

    本文介绍了刻蚀工艺参数有哪些。 刻蚀是芯片制造中一个至关重要的步骤,用于在硅片上形成微小的电路结构。它通过化学或物理方法去除材料层,以达到特定的设计要求。本文将介绍几种关键的刻蚀参数,包括不完全
    的头像 发表于 12-05 16:03 ?1918次阅读
    <b class='flag-5'>刻蚀</b>工艺的参数有哪些

    干法刻蚀工艺的不同参数

    :晶圆表面不同区域的温度由于加热器分布不均可能会有差异,导致局部区域刻蚀速率不同,从而影响刻蚀均匀性。 2,气体:气体化学组成,气体比例,气体流量 气体化学组成:干法刻蚀
    的头像 发表于 12-02 09:56 ?1874次阅读

    PDMS湿法刻蚀与软刻蚀的区别

    PDMS(聚二甲基硅氧烷)是一种常见的弹性体材料,广泛应用于微流控芯片、生物传感器和柔性电子等领域。在这些应用中,刻蚀工艺是实现微结构加工的关键步骤。湿法刻蚀和软刻蚀是两种常用的刻蚀
    的头像 发表于 09-27 14:46 ?718次阅读

    离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀应用

    口离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题, 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.
    的头像 发表于 09-12 13:31 ?784次阅读
    离子束<b class='flag-5'>刻蚀</b>机物理量传感器 MEMS <b class='flag-5'>刻蚀</b>应用