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MS31703NA——H 桥栅极驱动控制器

王子文 ? 来源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-11-14 11:37 ? 次阅读
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产品简述

MS31703NA 是一款小型单通道 H 桥栅极驱动

器。它使用四个外部 N 通道 MOSFET,驱动一个双

向刷式直流电机

PH/EN、独立半桥或 PWM 允许轻松连接到控

制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。

集成的电荷泵可提供 100% 占空比,而且可用于驱

动外部反向电池开关。

独立半桥模式支持半桥共享,能够控制多个直

流电机。MS31703NA 内置相应的电路,能够使用

固定关断时间的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。

MS31703NA 可以通过可编程压摆率控制技

术,降低电磁干扰 (EMI),可以灵活应用,而且可

以防止任何栅极短路问题。

主要特点

?单通道 H 桥栅极驱动器

-驱动四个外部 N 沟道 MOSFET

-支持 100% 脉宽调制 (PWM)占空比

?工作电源电压范围:5.5V 至 45V

?三个控制模式

-PH/EN、独立半桥和 PWM

?用于配置的串行接口

?可调压摆率控制

?每个半桥独立控制

?支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入

?电流分流放大器

?集成 PWM 电流调节功能

?低功耗休眠模式

?保护特性

-电源欠压锁定 (UVLO)

-电荷泵欠压 (CPUV)锁定

-过流保护 (OCP)

-栅极驱动故障 (GDF)

- 过温保护 (TSD)

- 看门狗计时器

-故障调节输出 (nFAULT)

应用

?电动车窗升降器、天窗、座椅、滑动门、后

备箱和尾门

?继电器

?刷式直流泵

产品规格分类

wKgZoWc1byaAG74LAAAfqEj32-A956.png

管脚图

wKgaoWc1bzeAVEDpAAEKu0JGXfs683.png

管脚说明

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如有需求请联系——三亚微科技 王子文(16620966594)

wKgZoWc1b1eAF9d7AAF9s6QgQ3c675.png

内部框图

wKgZoWc1b22AHMdSAAEIF-EmQXE852.png

极限参数

芯片使用中,任何超过极限参数的应用方式会对器件造成永久的损坏,芯片长时间处于极限工作

状态可能会影响器件的可靠性。极限参数只是由一系列极端测试得出,并不代表芯片可以正常工作在

此极限条件下。

wKgZoWc1b4KAXG52AAImUNEIolg656.png

推荐工作条件

wKgaoWc1b5KAFA6uAADWgwPRhVQ675.png

注:

1. VVREF在 0 到 0.3V 时可以运行,但精度较低。

2. 必须遵守功耗和热限制。

电气参数

无其他说明,TA=25°C,VVM=13.5V

wKgZoWc1b8mATVwaAAHVT5h3oek856.png

如有需求请联系——三亚微科技 王子文(16620966594)

wKgZoWc1b92AX_HOAAHxp2ztfe0672.png

wKgaoWc1b-6AKlwXAAHkkxReo-8640.png

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wKgZoWc1cBWAdLrkAAIYBkaVlKk086.png

如有需求请联系——三亚微科技 王子文(16620966594)

wKgZoWc1cCCAdxyGAAEQT489TrQ819.png

功能描述

MS31703NA 通过控制四个外部 NMOSFET,来驱动双向有刷直流电机。MS31703NA 还可以在独立

半桥模式下运行,以驱动两个单向有刷直流电机。支持 5.5V 到 45V 的电源电压,并通过 nSLEEP 引

脚,启用低功耗休眠模式。控制模式有三个选项,包括可配置的 PH/EN、独立半桥控制或 PWM 模

式,这样可以方便与控制器电路连接。

MS31703NA 可以调整栅极驱动强度或栅极驱动电流,以优化不同的 FET 应用,而无需外部电阻

通过将所需的 FET 驱动电路集成到单个设备中,显著减少了电机驱动系统的器件数量。峰值电流可通

过 SPI 进行调整。当 VM 电压大于 13.5V 时,高侧和低侧 FET 均以 10.5V(标称)的栅源电压(VGS)驱

动。在较低 VM 电压下,VGS 降低。高侧栅极驱动电压是通过一个双倍结构的电荷泵产生的,该电荷

泵可调节至 VM+10.5V。

MS31703NA 的分流放大器增益可以通过 SPI 进行配置。可通过内置的固定关断时间的电流斩波方

式来对电流进行限制。

MS31703NA 还具有完整的保护功能,包括:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、栅极驱动故障和过

温保护 (TSD)。

MS31703NA 集成内部数字振荡器和内部电荷泵的扩频时钟功能。该功能与输出转换率控制相结

合,将辐射降至最低。

典型应用图

wKgaoWc1cFOABE0SAAC_Y1EtT9c433.png

封装外形图

QFN32

wKgaoWc1cGmAE0nJAADocJ-0ioc196.png

——爱研究芯片的小王

审核编辑 黄宇

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