较为激进的技术路线,以挽回局面。
4 月 18 日消息,据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道,三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率,这高于
发表于 04-18 10:52
其高带宽存储器HBM3E产品中的初始缺陷问题,并就三星第五代HBM3E产品向英伟达供应的相关事宜进行了深入讨论。 此次高层会晤引发了外界的广泛关注。据推测,三星8层
发表于 02-18 11:00
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三星电子在近期举行的业绩电话会议中,透露了其高带宽内存(HBM)的最新发展动态。据悉,该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第三季度实现
发表于 02-06 17:59
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手机有望在2026年初正式亮相。在接下来的几个月里,三星将完成初步的设计和生产原型测试。这款设备在完全展开后,屏幕尺寸将达到约10英寸,为用户带来更为宽广的视觉体验,并拓展更多应用场景的可能性。 面对来自华为等竞争对手的压力
发表于 12-05 11:46
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三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂,以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施,进一步提升三星电子在半导体领域的生产
发表于 11-14 16:44
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近日,三星电子计划在韩国忠清南道天安市的现有封装设施基础上,再建一座半导体封装工厂,专注于HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储器)等内存产品的生产。据悉,
发表于 11-13 11:36
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近日,韩国三星电子公司透露了一个引人瞩目的消息,有可能在不久的将来向美国的人工智能巨头英伟达提供其先进的高带宽存储器(HBM)。这一消息无疑为科技界带来了新的期待。 值得一提的是,三星电子在H
发表于 11-04 10:39
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据业内人士透露,三星电子已对其2025年底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整。原定的每月20万颗产能目标已被下调至每月17万颗,降幅超过10%。
发表于 10-15 17:05
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据业内人士透露,三星电子已对其2025年底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整,下调幅度超过10%,从原先计划的每月20万颗减至17万颗。这一变动主要归因于向主要客户的量产供应遭遇延迟,导致
发表于 10-14 16:00
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近日,三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星已将2025年底的产能预估下调至每月1
发表于 10-11 17:37
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据媒体报道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电,并计划采用12nm至6nm的先进
发表于 10-10 15:25
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三星电子近期发布预测,指出全球HBM(高带宽内存)需求正迎来爆发式增长。据三星估算,到2025年,全球HBM需求量将跃升至250亿GB,较今
发表于 09-27 14:44
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三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划,决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建,转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器(HBM)的生产上。这一战略调整反映了
发表于 09-19 17:23
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三星电子在半导体技术的创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措标志着三星电子正紧锣密鼓地为明年年底实现12层HBM
发表于 08-22 17:19
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近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
发表于 08-08 10:06
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