中国半导体：专利增长42%达全球第一

10月23日消息，据外媒The register援引知识产权公司 Mathys & Squire 的数据称，近年来全球半导体专利申请量持续激增，2023年-2024年度全球半导体专利申请量同比增长22%，达到80892项，同比增长22%。其中，中国的半导体申请量从 32,840 件激增至 46,591 件，增幅高达 42%，超过其他所有国家和地区。

有媒体报道称，这一显著增长的背后，主要由于是美国对中国半导体出口管制，促使中国加大了对本土半导体研究与开发的投资。

中国官方也已经明确表示——科技行业必须自主创新，以避免陷入半导体依赖陷阱。半导体已被推到技术优先事项清单的首位，其成果正在专利申请数量中体现出来。

但这一增长并不仅仅受到地缘政治因素的影响，还有AI技术的快速发展，推动了全球芯片制造商，包括中国的公司，争相申请下一代AI硬件技术的专利。

与此同时，在《通胀削减法案》的推动下，2023-2024年美国半导体行业专利申请量也同比增长了9%，达到了21269项。

报告还指出，随着美国《芯片与科学法案》向芯片制造业投入资金（台积电的亚利桑那州工厂就是例子），美国渴望在加大研发力度的同时，保持其半导体技术的领先和供应链的稳固。

在半导体制造设备方面，虽然目前在关键的光刻机领域，ASML一家独大，并且其还是全球唯一的EUV（极紫外）光刻机供应商，但是新的国产DUV光刻机（“套刻≤8nm）的曝光，以及国内涌现出的诸多新不同技术路线的EUV光刻相关专利，也反应了国内EUV技术研究的进步。
比如，国家知识产权局2023年6月公布的由中国科学院上海高等研究院申请的《极紫外光源装置》的发明专利，该发明提供了一种极紫外光源装置，以产生平均功率千瓦量级、全相干、稳定的EUV光。（与ASML的LPP光源是完全不同）。

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审核编辑 黄宇