行业领先！带温度保护、超高精度过流检测的单节锂电池保护芯片

引言

在当今快节奏的科技生活中，随着便携式电子设备已成为我们日常不可或缺的一部分，这些设备对锂电池续航能力和安全性的要求也越来越高，《便携式电子产品用锂离子电池和电池组―安全要求》（GB 31241-2014）中明确强调了温度保护和精准的过流保护的重要性。深圳市德微辰芯技术有限公司立足于最新的市场需求，由原TI技术专家、现德微辰芯CTO带队与晶圆厂共同合作，通过不断的技术创新，已成功设计并量产出两款能助力电池符合国标（GB31241-2022），带温度保护的单节锂电池保护芯片——DV6011（过流精度为±0.5mv，精密电阻检流型）、DV6205（MOS内阻检流型）。产品可应用于智能手机、数码产品、智能穿戴、便携式设备等市场。

“集顶尖科技，性能至上”——DV6011（精密电阻检流型）

核心亮点

• 高精度高低温保护 ：DV6011特别设计了精准的温度监测机制，可实现高温充电保护、高温充放电保护、低温充电保护、低温充放电保护，保护精度已达业内头部水平± 3℃ 。
• 超高精度的过流检测： DV6011创新性的开发一种新型的低电压检测技术，内部增加补偿电路，使过流精度一直处于±0.5mv范围内 （ 精度较日系竞品提升30% ） ，极大降低了LPS等项目设计难度。低检测电压可使用更低的检流电阻，解决快充的发热问题。
• 超低功耗： DV6011采用业内先进的“亚阈值”控制技术，典型耗电仅为 2uA， 保证内部模块功能前提下降低耗电，从而减少了整个芯片的功耗，已达到行业领先水平。
• 双IC方案： DV6011可实现双IC保护（主、次保护）方案，在快速充电过程中更安全、更全面守护电池安全。
• ESD防护强： DV6011通过优化ESD泄放管结构实现了性能与面积的最佳平衡，同时在“ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017”ESD测试标准下，DV6011的 HBM模式可达±4kV（Class 3A） ，远超消费品±2kV的标准，极大降低生产时因ESD损坏的概率，提高产线良率。
• 外部控制： DV6011提供外部控制引脚CTL，可以通过在CTL上添加不同的信号进行充放电控制，极大方便用户进行产品调试和产品特色设计（细节需查阅最新DV6011规格书）。

“DV6011青春版”——DV6205（MOS内阻检流型）

核心亮点

• DV6025 在保留DV6011高精度高低温保护、超低功耗、ESD防护核心亮点基础上，根据客户需求增加了船运控制功能，并通过改良工艺解决了实际生产中常遇到的休眠问题。
• 船运功能： DV6205提供的“船运功能”，可有效降低运输中的整体消耗电流，非常利于小容量锂电池和需长途运输的应用环境。同时，DV6205 的船运功能增加了防误触发的判断机制，可以极大概率避免产线生产时误进入船运模式的情况。
• 解决生产问题:DV6205通过在芯片内部添加防护层和优化芯片生产制造工艺，极大降低了生产时芯片异常休眠概率，根本上解决了产线生产中因测试、高温等环境下产生的过充精度漂移问题。
  

名词解释：

亚阈值： 指MOSFET的一种工作状态。我们一直假设：当栅源电压Vgs下降到低于Vth时器件会突然关断。实际上当MOSFET的Vgs≈Vth，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流①。该种工作状态使得MOSFET获得更大的增益，非常利于低电压，低功耗的应用。

参考文献

[1]毕查德?拉扎维. 模拟CMOS集成电路设计[M]. 西安: 西安交通大学出版社, 2003

审核编辑 黄宇