GaN快充芯片U8607为18~65W应用提供全新解决方案

在各式各样的快充充电器之中，“GaN”这三个字近日越来越受到消费者的青睐。GaN快充充电器是一种基于GaN功率器件的新型快充充电器，GaN功率器件可以实现更高的功率密度和转换效率，从而缩小充电器的体积和重量，并提高充电速度和安全性。深圳银联宝科技最新推出的GaN快充芯片U8607，是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。

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GaN快充芯片U8607集成了高压启动功能。在启动阶段，U8607通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON (典型值12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值0.55mA)，小电流充电，可以降低VDD引脚对地短路时的芯片功耗。当VDD电压超过3V时，充电电流增加到IHV2 (典型值5mA)，以缩短启动时间，随VDD电压升高，充电电流逐渐减小。当VDD电压降到VVDD_REG (典型值9V)时，高压供电电路再次开启，以维持VDD电压。但是，如果低钳位供电状态持续时间超过80ms，芯片将触发保护。当芯片触发保护状态时，系统停止打驱动，高压供电电路开启，维持VDD电压在VVDD_REG_ST(典型值12V)。

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GaN快充芯片U8607集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。U8607集成有多种保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输出短路保护(FB SLP)、输出过压保护(FB OVP)、输入过压保护(Line OVP)、输入欠压保护(Line BOP)和过温保护(OTP)等。

GaN目前已经在高端充电器上全面铺开。相关数据显示，GaN快充充电器渗透率从2021年起快速上升，即便按照目前市场上的“内卷”程度，GaN快充充电器仍有很大的发展空间。深圳银联宝科技正在有计划的逐步推出不同款型的GaN快充芯片，无论是品质，还是价格，都十分有优势，必须关注起来！