ODCC春季全会召开| 忆联持续5年以领先技术为ODCC项目研究提供支持

2024开放数据中心委员会（ODCC）春季全会于3月27日-29日在江西省上饶市召开，作为长期的合作伙伴，忆联应邀参加本次会议，并在新技术与测试工作组会议上就研究课题开展了汇报与讨论。

于3月28日下午召开的新技术与测试工作组会议由忆联高级工程师李军主持。同时，李军也对SSD写放大的研究项目进度做出了详细展示。写放大研究项目于去年立项，主要对SSD写放大的定义、成因、以及对SSD寿命的影响等问题进行深入探讨，并结合测试方法对各种应用场景和文件系统等因素对写放大的影响做出分析。此项目旨在优化SSD性能和提升存储效率。

自立项以来，忆联对于文件系统持续开展了多种测试。多项测试结果显示，对于设定的大文件内部，如果从小至32字节、大到1M字节的随机位址写入，写放大的效应在不同的文件系统中的表现会呈现出较大差异。越是新出现的先进文件系统，写放大值反而越显著，这是不能忽略的问题。对此，在常规优化建议如TRIM命令、垃圾回收、磁盘碎片整理的基础上，忆联给出了更丰富的优化建议，例如基于硬盘占用率以及文件系统对写放大的表现进行预判，如何借助采样和记录数据对写放大实施进一步研究、以及提供面向SR-IOV、ZNS等技术的写放大测试与分析脚本等，供业内借鉴与参考。

忆联ODCC里程碑回顾

忆联是ODCC白金会员单位和长期合作伙伴，通过持续的项目研究以及产品技术测试等合作，不断为推动数据中心的蓬勃发展奠定基础。

2023年

在“DC TECH算力强基行动”中，通过了ODCC联合实验室对数据中心基础设施、IT设备等的软硬件全体系测试评估，忆联数据中心级产品UH711a获列推荐产品目录；

开展“存储设备时延问题分析与测量”项目研究，对目前数据中心应用中存储部件的时延问题提出相关研究与解决方案。

2022年

企业级固态硬盘UH811a（7.68TB）与UH831a（3.2TB）通过了ODCC联合实验室的检测，荣获“闪耀之选”推荐产品；

开展“存储部件特性SR-IOV测试白皮书”项目研究，为SR-IOV特性验证做到规范化奠定基础，为后续应用提供统一的操作规范和判别标准。

2020~2021年

开展关于SSD性能的测试研究与规范制定，促进各企业对基础设施选型、测试，加速落地商用。

2019年

参与中国算力白皮书项目，对“存力”部分做出论证。

关于写放大

SSD写放大是指在固态硬盘中，由于闪存芯片的工作原理导致的一种现象。当系统需要对闪存中的数据进行更新时，由于闪存芯片内存储单元的特性，无法直接覆盖原有数据，而是需要先将原有数据标记为无效，然后再将更新后的数据写入新的内存单元中。

这个过程会导致新数据写入的量比实际需要的多，即写放大。写放大会增加对SSD的写入操作次数，降低SSD的寿命，同时也会影响SSD的性能表现。

对于减少写放大带来的负面影响，SSD厂商通常会采取一些优化策略，例如TRIM命令、垃圾回收等来减少写放大现象。

关于忆联

忆联（Union Memory）成立于2017年，深耕企业级固态硬盘、数据中心级固态硬盘、消费级固态硬盘、嵌入式存储领域，为服务器、数据中心、个人电脑、移动终端、智能穿戴等应用提供高性能、高可靠性的产品与解决方案。

依托业界一流的实验室与两座现代化制造基地，忆联掌握了存储控制器开发、固件设计、封装测试等核心技术，为运营商、互联网、消费电子等行业进行定制化的设计、研发、生产与服务。

忆联是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业，并入选工信部工业强基重点产品、工艺“一条龙”应用计划。截至2024年3月，已获得373项发明专利，并取得41项软件著作权。