长鑫存储新专利揭示半导体结构与制造方法
在近日，中国企业长鑫存储技术有限公司展示了其专利——“半导体结构及其制造方法”。此项专利已于申请公布日2024年3月12日正式公开，公开编号为CN117693193A。
这个新颖的发明主要是关于一款包含以下几个部分的半导体结构：基底，基底上分布着一系列等距排列的电容接触结构，隔离结构，它处于基底顶部并在电容接触结构之间；隔离结构顶部高度低于电容接触结构；隔离凹槽，从隔离结构顶部延伸到内部空间，且与电容接触结构保持距离。
通过在隔离结构顶部设计隔离凹槽，可以有效地防止由于电容接触材料氧化所引起的相邻电容接触结构的互相干扰，从而防止短路现象的发生。这样一来，后续的电容生成过程就不会受到干扰，提高了产品的生产效率和使用可靠性，进而提升了整体半导体结构的质量水平和电子性能。
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