美新无锡专利揭示单芯磁阻传感器技术
据天眼查信息披露，美新半导体（无锡）有限公司近期成功获得了一项名为“一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法”的专利。这项专利的授权公告号是CN108574042B，公告日期定在了2024年3月12日，专利申请日则早在2018年6月12日就已经提出。
该专利的概述指出，该项创新应用于单芯片单轴或多轴磁阻传感器的制造方法中。如此设计的磁阻传感器包括：一个集成电路晶圆；晶圆之上的钝化层；通过钝化层上设置的第一通孔连接至传感器的金属连线；介质层，其上呈现出斜坡效果；穿透介质层的第二通孔部分露出底层集成电路中的金属连接；通过介质层表面的磁性感应薄膜图样构成的感应磁阻图形，以及第二通孔内部用于保护金属连接的磁性感应薄膜；此外，还设计了连接传感器和集成电路的传感器互连金属层图形。与现行技术相比，这种创新方式更有效地降低了连接集成电路和磁阻传感器之间的孔接触电阻。
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