0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用

瑞森半导体 ? 2023-12-08 11:50 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

一、前言

直流充电桩新能源汽车直流充电桩的简称,一般也被叫做“快充”。直流充电桩一般与交流电网连接,可作为非车载电动汽车的动力补充,是一种直流工作电源的电源控制装置,可以提供充足的电量,输出电压和电流可以连续调节,可有效实现快速充电的要求。

据中国充电联盟发布的《2021 中国电动汽车用户充电行为白皮书》,直流充电桩已成为 99.3%用户的首选,因此直流充电桩面临较大的需求缺口,未来有望提速发展。

二、产品组成及应用场所

直流充电桩通常由充电机主机、电源部分、充电接口、显示屏、辅助设备这五部分组成。一般来说,直流充电桩可分为分体式一体式两种类型。

直流充电桩是直接输出直流电给车载电池进行充电,充电效率高、时间短、功率较大( 60kW、120kW、200kW 甚至更高),故一般安装在公共充电站、停车场等公共场所。

三、典型应用拓扑图

wKgaomVykf-AXkbCAAehUMtnvYM979.png

四、应用线路及选型

如上图所示:通过Vienna线路(三相PFC功率校正)对工频三相交流电进行整流(输出:400-800V),推荐使用瑞森半导体600V/650V的超结MOS系列:采用多层外延工艺,优化了元胞结构,可靠性高,一致性好,对标英飞凌C3、 P6、 P7系列产品,产品选型如下:

wKgZomVykgeAJUYrAAsuFqh3s7g707.png

PFC功率校正整流后再通过DC/DC线路(三电平全桥)LLC谐振变换器(输出400-750V)对电池进行充电,推荐使用瑞森半导体650V/1200V的碳化硅(SiC) MOS系列:极低的门电荷(QG)、极低反向恢复的快速本征体二极管、可最大限度减少传导损失,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力;器件参数一致性好;高频率的运行、能让被动元器件做得更小,产品选型如下:

wKgaomVykguAClGKAA8IZzYgGaU210.png
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS
    MOS
    +关注

    关注

    32

    文章

    1366

    浏览量

    97289
  • 超结器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    11

    浏览量

    5752
  • 直流充电桩
    +关注

    关注

    5

    文章

    114

    浏览量

    7281
  • 碳化硅MOSFET
    +关注

    关注

    0

    文章

    43

    浏览量

    4673
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
    发表于 06-25 09:13

    碳化硅MOS驱动电压如何选择

    碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V,是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗、开关特性、热管理和系统可靠性有显著影响。
    的头像 发表于 06-04 09:22 ?641次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驱动电压如何选择

    伯恩半导体新品推荐 | MOSTV电视的应用

    推荐MOSTV电视的应用
    的头像 发表于 05-07 14:36 ?293次阅读
    伯恩半导体新品推荐 | <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>在</b>TV电视<b class='flag-5'>上</b>的应用

    国产碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁挂小直流中的应用

    国产碳化硅MOSFETOBC+DCDC及壁挂小直流中的应用
    发表于 04-02 11:40 ?0次下载

    长期工作的充电电源模块中碳化硅MOSFET失效率越来越高的罪魁祸首:栅氧可靠性埋了大雷

    罪魁祸首是部分国产碳化硅MOSFET栅氧化层的可靠性埋了大雷:短期使用看不出问题,长期工作下来充电电源模块失效率持续增加,尤其是高温环境下长期服役的
    的头像 发表于 03-24 10:44 ?429次阅读
    长期工作的<b class='flag-5'>充电</b><b class='flag-5'>桩</b>电源模块中<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET失效率越来越高的罪魁祸首:栅氧可靠性埋了大雷

    MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

    随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代
    的头像 发表于 03-01 08:53 ?548次阅读
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET升级至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的根本驱动力分析

    桥式电路中碳化硅MOSFET替换MOSFET技术注意事项

    桥式电路中,国产碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替换(SJ)MOSFET具有显著优势,但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和技术注意事项两方面进行深度分
    的头像 发表于 02-11 22:27 ?383次阅读
    桥式电路中<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET替换<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET技术注意事项

    5G电源应用碳化硅B3M040065Z替代MOSFET

    倾佳电子杨茜以48V 3000W 5G电源应用为例分析BASiC基本股份国产碳化硅MOSFET B3M040065Z替代MOSFET的优势,并做损耗仿真计算: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC
    的头像 发表于 02-10 09:37 ?430次阅读
    5G电源应用<b class='flag-5'>碳化硅</b>B3M040065Z替代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET

    6.6 KW双向OBC碳化硅MOSFET替代的仿真计算

    倾佳电子杨茜以6.6 KW双向OBC(内置3KW DC/DC )应用为例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和MOSFET OSG60R033TT4ZF的工作
    的头像 发表于 02-10 09:36 ?582次阅读
    6.6 KW双向OBC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET替代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>的仿真计算

    为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET和高压GaN氮化镓器件
    的头像 发表于 01-23 16:27 ?839次阅读
    为什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅M
    发表于 01-22 10:43

    为何基本碳化硅MOSFET充电电源单级拓扑实测效率高于进口器件

    基本碳化硅MOSFET充电电源单级拓扑实测效率高于进口器件
    的头像 发表于 01-13 09:58 ?870次阅读
    为何基本<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>充电</b><b class='flag-5'>桩</b>电源单级拓扑实测效率高于进口器件

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC电动车中的应用

    碳化硅(SiC)电动车中的应用主要集中电力电子系统方面,以下是对其电动车中具体应用的分析: 一、电动车充电设备
    的头像 发表于 11-25 17:32 ?1640次阅读