第八届上海FD-SOI论坛成功举行芯原FD-SOI IP迅速成长赋能产业-电子发烧友网

（电子发烧友网原创报道）2023年10月23日第八届上海FD-SOI论坛隆重举行，论坛由芯原股份和新傲科技主办，SEMI中国和SOI产业联盟支持。该活动自2013年开始每年举行一次，上次第七届论坛于2019年举行。因特殊原因暂停了三年，2023年主办方重启再次主办，第八届FD-SOI论坛，邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化，FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化？

半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路径：3D FinFET和2D FD-SOI工艺。其中FinFET在先进工艺的演进路径上，快速进入到20纳米以下，尤其是在16纳米上大放异彩，现在手机处理器主流都进入到了7纳米，最新一代量产工艺FinFET工艺到3纳米时代。那么当初所说的FD-SOI将是中国集成电路产业“弯道超车”和“换道超车“的说法，现在看来是否仍然正确呢？

FD-SOI技术发展回顾

作为论坛发起者和主办方之一，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士再次科普了一下FD-SOI工艺与FinFET的工艺原理区别。

图：不同晶体管工艺的简单原理图

2012年ST首发 28纳米FD-SOI工艺平台，2013年芯原开始与ST在FD-SOI技术推广上合作，并成功主办第一届上海FD-SOI论坛。

2015年格芯发布了22 FDX 22纳米工艺平台，并与芯原开始技术合作，2016年上海NSIG集成收购了Soitec 14.5%的股份，2017年格芯发布了FDXcelerator工艺。同年多家FD-SOI工艺的芯片量产出货：NXP的i.MX7、i.MX8和其他几款AP处理器，索尼的新一代GPS芯片，Eutelsat Communication的应用处理器，Dearm Chip的业界首款ADAS SoC，瑞芯微、复旦微、国科微也都在当年发布了基于FD22纳米的IoT芯片。一时间FD-SOI工艺在国内外遍地开花。

芯原FD-SOI IP产品介绍

戴博士表示，芯原的IP几乎全部覆盖了市场所有晶圆厂的FD-SOI工艺，也成为了众多FD-SOI芯片问世背后赋能的推手。芯原也几乎是国内唯一的FD-SOI IP的供应商。四年前芯原就发布了针对边缘AI和IoT应用的基于格芯(Globalfoundries)的22FDX工艺设计IP平台。主打低功耗，低电漏和高密度存储的混合信号IP，相比现有的工艺IP，具有在功耗、芯片面积和成本上的优势。FD-SOI的Body-Bias技术上的优势后面在客户量产之后表现出来了差一两代工艺同样可以实现高性能和低功耗，以及在设计灵活性和成本的优势。

芯原的模拟与混合信号的22纳米FD-SOI IP已经获得了30多个客户的200多次的IP授权，已经有12个项目成功量产。

FD-SOI未来展望

芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民在发言中展望了FD-SOI的未来。在2022年7月12日，欧洲宣布投资建12nm的FD SOI的产能之后，ST和格芯都将同步迈入FD-SOI的新工艺时代。FD-SOI市场也将迎来高速的增长，从2022年的9.3亿美元，到2027年的40.9亿美元，年复合增长率达34.5%。未来FD-SOI与FinFET工艺在产业内肯定会同时并行。

电子发烧友网分析师认为，由于最先进的3纳米工艺的稀缺性、高价格以及复杂度，肯定仍然只会有少数的数字芯片巨头能用得起用得上。再加上16纳米到7纳米这几代工艺仍然对中国芯片企业使用受限，FD-SOI工艺从成熟工艺再爬坡到新一代的工艺，芯原作为一家中国芯片IP供应商，在10多年前就进入并与产业同步成长，现在看来当初的那一步是尤其的正确与珍贵。