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是德科技和Ansys携手为4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

actSMTC ? 来源:是德科技快讯 ? 2023-10-10 18:22 ? 次阅读
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新参考流程采用台积电 N4PRF 制程,提供了开放、高效的射频设计解决方案

强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率

综合流程可提高设计效率,实现更准确的仿真,从而更快将产品推向市场

2023年10月9日,是德科技(Keysight Technologies,Inc.)、新思科技公司(Nasdaq:SNPS)和 Ansys 公司(Nasdaq:ANSS)宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。

N4PRF 制程是半导体代工企业台积电所拥有的先进 4 纳米(nm)射频(RF)FinFET 制程技术。这个参考流程是以新思科技的定制设计产品系列为基础而构建,提供了完整的射频设计解决方案,以满足客户对开放式射频设计环境以及更高预测准确度和设计效率的需求。

该参考流程为设计人员提供了出色的解决方案选项,并且成功集成了是德科技的射频集成电路(RFIC)设计与交互式电磁(EM)分析工具,以及 Ansys 的 EM 建模和电源完整性签核解决方案。

下一代无线系统将具有更大带宽,支持更多设备联网,其通信延迟更短,并且覆盖范围更广。用于无线数据传输的射频集成电路(如收发信机和射频前端元器件)设计变得越来越复杂。

面对更高的电路频率、更小的尺寸和复杂的版图相关效应,通过物理方式研发高速设计的传统方式将遇到重重挑战。为了实现先进的性能和强健的产品可靠性,设计人员需要更准确、更全面的建模及仿真功能。

台积电 N4PRF 设计参考流程可在新思科技定制编译器 设计和版图环境中,使用低噪声放大器(LNA)和 LC 调谐压控振荡器(LC VCO)等关键设计组件对设计进行严格验证,从而有效缩短设计交付时间,提高版图设计效率。参考流程配备了先进的工具,可实现高效的无源器件合成、EM 模型提取、包含器件金属的热感知电迁移分析,以及支持正确处理电感电路(CUI)结构的版图后期提取。

除了新思科技定制编译器之外,这个开放的现代参考流程还包括:Synopsys PrimeSim 仿真工具和 PrimeSim 可靠性环境,可提供签核准确度电路仿真;以及 Synopsys IC Validator 和 Synopsys StarRC,可提供签核实体验证和提取解决方案。

Ansys Totem 可提供热感知签核电迁移验证和电源完整性分析(EM/IR)。

RaptorX 和 Exalto 提供电磁建模功能,并具有独特的 CUI 功能,可显著减少空间占用。

VeloceRF 针对多层螺旋电感器、平衡-不平衡转换器/变压器和传输线等电磁器件提供了全自动芯片版图合成。Keysight PathWave ADS RFPro 则提供了快速、交互式的电磁电路联合仿真和分析,可协助设计人员在开发期间提前发现并修复版图相关效应。

PathWave RFIC 设计(GoldenGate)支持在早期芯片设计和验证过程中进行谐波平衡仿真。

是德科技副总裁兼 EDA 事业部总经理 Niels Faché 表示:“是德科技、新思科技和 Ansys 已经扩大与台积电的战略技术合作,为台积电先进的 4nm 射频技术提供更高水平的射频设计能力。我们目睹了射频设计人员使用前几代解决方案和流程的各种不便,这些旧解决方案和流程已经无法满足如今的 WiFi-7 片上系统和射频子系统设计需求。要应对新的版图相关效应,设计人员必须具备详细的仿真和建模能力,并且必须能够准确签核。其他商用工具和工作流程无法满足如台积电这类顶尖芯片制造企业的严苛要求,通常也没有能力对包含数百个耦合信号端口的现代模拟设计进行建模。”

新思科技战略与产品管理 EDA 集团副总裁 Sanjay Bali 表示:“新思科技、Ansys 和是德科技一直利用在定制模拟、射频和多物理场设计方面数十年的专业技术,为我们共同的客户降低风险,并帮助他们加速实现成功。我们与 Ansys 和是德科技最近再次携手,为台积电先进 N4P 制程提供新的射频设计参考流程。这是一个开放、优化的流程,可为先进 WiFi-7 系统提供高质量的结果。”

Ansys 公司电子、半导体光学业务副总裁兼总经理 John Lee 表示:“随着射频频率攀升至毫米波和亚太赫兹范围,多物理场为我们的客户带来了新的挑战,包括优化功率、空间占用、可靠性和性能等等。客户想要一次就设计出成功的产品,需要在整个设计流程中都采用高性能的解决方案。我们与是德科技和新思科技正在携手与台积电开展紧密合作,将我们先进的电源完整性和电磁建模技术引入定制设计流程中,从而满足高速电路设计人员的需求。”







审核编辑:刘清

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原文标题:是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程

文章出处:【微信号:actSMTC,微信公众号:actSMTC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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