可在125°C 环境下工作的汽车级I2C接口FeRAM

I²C 接口 512Kbit FeRAM

MB85RC512LY

加贺富仪艾电子旗下的代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司于近期宣布推出 I²C 接口 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"，这是富士通半导体汽车级 I²C 接口 FeRAM 产品中密度最高的一款。目前可提供评估样品（图1）。

图 1：MB85RC512LY 封装

该产品可确保在 125°C 高温条件下的低工作电流和 10 万亿次读/写循环时间。FeRAM 产品是工业机器人和汽车应用（如高级驾驶辅助系统 (ADAS)）的最佳选择（图 2）。使用 I²C 接口平台的客户在开发终端产品时，通过使用这种 FeRAM 存储器部件，无需对设计进行重大修改。

图2：FeRAM使用示例

自2017年以来，富士通半导体一直在批量生产64Kbit至4Mbit汽车级FeRAM产品，这些产品可在高达125°C的环境中运行，并带有SPI接口。然而，对于已经在 I²C 接口平台上使用存储器件的客户来说，存在必须重新设计其最终产品接口的问题。在此背景下，富士通半导体一直在开发 I²C 接口的 FeRAM 产品，并成功开发出了可在 1.8V 低电源电压下工作的 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"。

MB85RC512LY 是一款 512Kbit 非易失性存储器件，可在 1.7V 至 1.95V 的低电源电压下工作。它具有极低的工作电流，例如在 3.4MHz 工作频率下最大电流为 0.4mA，并可在 -40°C 至 +125°C 的温度范围内保证 10 万亿次读/写循环时间。这一特性非常适合某些需要实时数据记录的应用。例如，即使每 0.03 毫秒重写一次数据，也能在同一地址记录 10 年的数据。

新型 FeRAM 产品可以解决在使用存储器产品时出现的以下问题(图 3）。

图3：客户的问题和解决方案

在系统中使用 I²C 接口传统存储器的客户

问题：希望使用 FeRAM，但至今没有 125°C 工作温度的 I²C 接口产品

解决方案： 使用新型 FeRAM，无需更改系统中的接口设计。

客户需要工作温度为 125°C 的 512K 位存储器

问题： 由于缺乏合适的密度，必须获得比 512Kbit 更高密度的存储器

解决方案： 使用具有精确密度的新型 FeRAM，无需购买高密度存储器。

使用 125°C 工作温度 EEPROM 的客户

问题：由于写入耐久性高达 100 万次，设计受到限制。

解决方案： 使用读/写耐久性高达 10 万亿次的新型 FeRAM。

汽车级 FeRAM 系列有 3.3V 和 1.8V 两种工作电压，适用于 I²C 和 SPI 接口产品。随着 MB85RC512LY 的推出，符合 AEC-Q100 标准的 FeRAM 系列自去年以来又增加了 7 款新产品。此外，还有 4 款新型 1Mbit 产品正在开发中。(图 4）

图4：汽车级FeRAM产品阵容

富士通半导体存储器解决方案公司认为，由于客户寻求的应用多种多样，因此所需的存储器密度也需要多样化。我们将继续提供最佳的存储器产品和解决方案，以提高客户应用的价值和便利性。

MB85RC512LY的主要规格

关于富士通半导体存储器解决方案有限公司

关于加贺富仪艾电子（上海）有限公司

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