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通过高压IGBT、线性MOSFET等功率器件,Littelfuse赋能医疗设备创新

Felix分析 ? 来源:电子发烧友网 ? 作者:吴子鹏 ? 2023-09-11 09:16 ? 次阅读
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电子发烧友网报道(文/吴子鹏)随着远程医疗、智慧医疗、数字医疗等创新概念的兴起,全球医疗电子产业发展换挡提速,未来几年将保持蓬勃发展的态势。在PCIM Asia 2023上,Littelfuse半导体应用技术经理刘鹏援引市场分析机构Statista的数据称,预计到2030年全球市场中美国、中国、法国和德国医疗设备市场规模均将超过500亿美元,其中美国医疗设备市场规模届时将超过2000亿美元。

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数据来源:Statista


他指出,针对医疗设备市场,Littelfuse提供三大产品线,分别是来自IXYS的功率半导体产品,包括可控硅MosfetIGBT二极管、三极管和驱动器等;来自Littelfuse的电路保护器件,包括保险丝TVS二极管、保护IC等;还有来自C&K的按键产品,包括触控按键、按键开关和滑动按键等。



Littelfuse将医疗设备市场分为三个方向,分别是生命力支持设备、外科手术设备、诊断和治疗设备。

除颤仪AED属于生命力支持设备。刘鹏介绍称,围绕除颤仪,Littelfuse在电源系统、电池管理单元、开关按钮、用户界面和高压脉冲放电H桥(H-Bridge)等方面都有产品供应。在H桥应用上,Littelfuse提供独有的3000V IGBT,不仅提高了AED的可靠性,并且缩小了设备体积和设计周期。。

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除颤仪电路框图


应用于除颤仪的IGBT并非普通的IGBT产品,而是高压IGBT,器件的工作电压达到3000V。Littelfuse的Very High Voltage系列BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势,工作电压为2500V-3600V。除颤仪的电池电压一般为12V或24V,然后升压到2000VDC,H桥是目前除颤仪中主流的电路架构。根据刘鹏的介绍,现阶段在医疗设备用的3000V IGBT市场只有Littelfuse独家供应,是一个出货量很大的产品类别。除了IGBT,高压可控硅也是Littelfuse在除颤仪市场非常具有统治力的一个器件,在2500V高压可控硅市场几乎没有竞争对手。

他指出,过去几年,除颤仪设备在国内市场快速起量,原因在于政府政策对于公众健康更加重视,像体育场、学校、交通枢纽和医院等公共场所都开始要求配备除颤仪。未来,家用除颤仪是一个巨大的待开发市场,出货量可能远超过现有的市场规模,小型化和低成本是其中的挑战。除颤仪也是本次Littelfuse在PCIM Asia 2023上重点展示的医疗设备方案。

X光影像系统DR属于诊断和治疗设备,Littelfuse在高压发生器、辅助电源和用户界面方面能够提供相关器件。

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X光影像系统电路框图


刘鹏谈到,X光影像系统里面的高压发生器会产生一个150kV的高压,功率可能达到40-80kW的级别,Littelfuse高性能大电流的保险丝在其中起到了保护作用。另外,设备前端会用到Littelfuse的三相整流桥,850V-1000V的MOSFET应用在高压发生器(HV Generator),高压的MOSFET是Littelfuse的强项,这些器件拥有超低的RDS(ON)和Qg,以及卓越的dv/dt性能,可以显著提高医疗产品的可靠性。

超声手术刀是一种外科手术设备,主要用于生物组织的切割与血管闭合等操作。具有出血少、对周围组织伤害少、术后恢复快等特点。在相关设备的AD/DC系统、电源系统和换能器等方面,Littelfuse提供了对应的解决方案。

刘鹏表示,超声手术刀电路的功率不大,一般不超过200W,但电路较为复杂。功放电路(Power Amplifier), 发出纯正的正弦波,推动换能器工作。由于换能器核心部件是压电陶瓷,在正弦波的激励下,换能器不停地震荡,将电能转化成机械能,会以55.5kHz的高频来进行切割。

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超声手术刀电路框图


在超声手术刀应用中,如果用方波驱动换能器,那么就会造成换能器异常损坏,因此纯正的正弦波才能保证换能器的工作寿命。
Littelfuse提供极具创新价值的线性MOSFET管。这种器件和传统的开关MOSFET有很大的不同,后者的驱动波形一般是PWM方波,而Littelfuse的线性MOSFET管可以承受严苛的正弦波驱动。

常规MOSFET管内部是均匀排布的小MOSFET管,比例是相同的,那么在开关波形里面就会具有很好的一致性。不过,常规MOSFET的开启电压Vgsth是负温度系数的,热点主要集中在器件的中间区域。由于Vgsth是负温度系数的,那么器件中间热区的MOSFET管Vgsth 将进一步下降,并形成正反馈,导致电流异常集中而损坏Mosfet。 Littelfuse的技术创新在于,将MOSFET中间区域MOSFET晶胞的Vgsth人为调高,这是一个非常领先的工艺调整。当MOSFET 工作在线性区,大电流进入Littelfuse的线性MOSFET管时,器件表面的温度就会趋向均匀,不会因为热集中效应而失效。


除了这些典型的案例,刘鹏还向电子发烧友网记者介绍了Littelfuse 产品在创新医疗中的应用。比如:脉冲电场消融、血管内脉冲除钙化和呼吸机等方面的应用,涉及了4500V超高压IGBT等功率器件以及C&K的高性能开关,体现了Littelfuse在医疗电子领域的布局广度和布局深度。

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