西安紫光国芯新一代多层阵列SeDRAM技术

摘要：近日，西安紫光国芯半导体股份有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)在VLSI?2023技术与电路研讨会上(2023?Symposium?on?VLSI?Technology?and?Circuits)公开发表了技术论文——《基于小间距混合键合和mini-TSV的135GBps/Gbit?0.66?pJ/bit?嵌入式多层阵列?DRAM》(135?GBps/Gbit?0.66?pJ/bit?Stacked?Embedded?DRAM?with?Multilayer?Arrays?by?Fine?Pitch?Hybrid?Bonding?and?Mini-TSV)，发布了新一代多层阵列SeDRAM?技术。该技术的发表是西安紫光国芯在SeDRAM方向上持续创新的最新突破。

本年度?VLSI?会议共收到全球投稿?632?篇，在最终录取的212?篇中，仅有2篇来自中国内地企业，其中1篇便是来自西安紫光国芯的嵌入式多层阵列DRAM论文。

论文第一作者西安紫光国芯副总裁王嵩代表公司作论文报告

本次VLSI?2023上，西安紫光国芯发布的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，新一代技术平台主要采用了低温混合键合技术(Hybrid?Bonding，HB)和mini-TSV堆积技术。该技术平台每Gbit由2048个数据接口组成，每个接口数据速度达541Mbps，最终实现业界领先的135GBps/Gbit?带宽和0.66?pJ/bit?能效，为叠加更多层?DRAM?阵列结构提供先进有效的解决方案。

嵌入式多层阵列SeDRAM示意图

论文通讯作者西安紫光国芯总经理江喜平表示，“2020年IEDM我们发布了第一代SeDRAM技术，之后我们实现了多款产品的大规模量产。这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术，实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量，可广泛应用于近存计算、大数据处理和高性能计算等领域。”

西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)基于混合键合技术实现了逻辑单元和?DRAM阵列三维集成，多项研发成果已先后在IEDM?2020、CICC?2021、ISSCC?2022等多个期刊和会议上公开发表和作专题报告。

审核编辑 黄宇