超辐射发光二极管SLD

超辐射发光二极管(Super Luminescent Diode，SLD)是一种性能介于激光二极管(Laser Diode，LD)与发光二极管(Light Emitting Diode，LED)之间的一种半导体光电器件。通常将放大的自发辐射叫做超辐射。超辐射是介质在强激光状态下的一种定向辐射现象，光由自发辐射产生，经受激光辐射产生放大。

在普通半导体激光二极管中，由于腔体两端面的反射作用会形成法布里－珀罗谐振，当注入电流高于阈值电流时，端面输出增大，会形成激光。但在SLD中，器件后端面处的反射强度不足以形成光的反馈谐振，因此SLD输出的是非相干光。

所以，SLD是一种宽光谱、弱时间相干性、大功率、高效率的半导体光发射器件。其光学性质介于LD和LED之间，具有比LD更宽的发光光谱和更短的相干长度，比LED有更高的输出功率，更高的调制带宽。

	LD	SLD	LED
发光	受激发射	放大的自发辐射	自发辐射
光谱波形	LD	SLD	LED
半高全宽	数nm或更小	10~50nm	最大100nm
半高全宽	数百毫瓦	最大10毫瓦	几毫瓦

SLD的这些特性使得在需要平滑的宽光谱（低的时间相干性）和高的空间相干性、相对较高强度光源的领域中必不可少。目前主要集中在光纤陀螺(FOG)、光学弱相干层析术(OCT)、低相干时域反射仪(OTDR)、可调谐外腔激光器、光纤通信、光纤传感器、光器件测试仪表等领域。功率更大、光谱更宽、纹波更小、温度稳定性更好的SLD是实际应用的必然要求。

日前，天津见合八方光电科技有限公司推出了首款1310nm的8pin SLD蝶形器件，该款器件输出光功率在3dbm，谱宽50nm。后续还会陆续推出应用于不同类型的SLD器件,包括大功率和保偏的SLD器件。公司在天津搭建了完整的器件封装产线，可为客户提供不同的定制封装服务。

公司目前建立了万级超净间，具有光有源芯片和光无源芯片的集成微封装能力，包括在片测试、切片、解理、剪薄、以及光芯片的耦合、楔焊和球焊打线键合、共晶、平行封焊等。公司主要产品包括SOA系列光芯片和光器件，以及光电芯片微封装服务。