12.3.3 光探测器∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
探测器
+关注
关注
15文章
2714浏览量
74614
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
碳化硅功率器件有哪些特点
随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加，宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展，成为现代电子
碳化硅功率器件的散热方法
碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其耐高压、耐高温、高开关速度和高导热率等优良特性，在新能源、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域得到广泛应用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高
碳化硅功率器件的封装技术解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性，在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而，要充分发挥SiC器件的性能，封装技术至关重要。本文将详细解析
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
一、引言
随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对
发表于 01-04 12:37
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长
碳化硅功率器件在能源转换中的创新应用
能源转换、电力传输和电动汽车等领域具有广阔的应用前景。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理和特点，并探讨其在能源转换中的创新应用，引领高效能源转换的未来之光。
碳化硅SiC在光电器件中的使用
。 高热导率 ：SiC的热导率是Si的三倍以上，有助于器件的散热。 高电子饱和速度 ：SiC的电子饱和速度高于Si，适合于高速电子器件。 化学稳定性 ：SiC在高温下具有良好的化学稳定性，适合于恶劣环境下的应用。 碳化硅在光电
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的能源转换技术，因其优异的性能在能源领域受到了广泛的关注。本文将介绍碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温环境下的应用中具有明显的优势。本
碳化硅功率器件的优势和应用领域
在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的优点和应用
碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的技术优势
随着电力电子技术的飞速发展，传统的硅基功率器件因其物理特性的限制，已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下，碳化硅（SiC）功率器件凭借其独特的材料特
碳化硅功率器件有哪些优势
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，
工商网监
评论