0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

吡啶环分子器件电子输运特性研究

鸿之微 ? 来源:鸿之微 ? 2023-06-05 16:16 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0 1引言

利用分子器件实现传统电子元件的基本功能已被认为是分子电子学的研究目标,因而该研究领域备受关注,并发现了许多有趣的物理特性,如分子整流、分子开关,以及负微分电阻(Negative Differential Resistance,NDR)特性等。有研究表明具有NDR特性的分子器件可用于实现极低静态功耗和极高密度的存储单元,且低偏压、高峰谷电流比(PVR)的分子NDR器件可用于DRAM记忆单元的局域刷新。因此,低偏压、高PVR的分子NDR器件具有广阔的应用前景,该种特性分子器件是本项目主要研究内容。

为获得具有上述特性的分子NDR器件,一方面要探寻具有优良特性的中心分子,另一方面也需探索电极对分子器件输运特性产生的影响。前期调研工作表明芳香分子的导电性与其内禀芳香性负相关,吡啶分子中含有的氮元素降低了分子的芳香性,提高了其导电性。此外,石墨烯纳米带(GNR)列为具有弹道传输、电迁移电阻等优良特性的互连材料,同时调研发现仅通过控制石墨烯形变状态即可调控其输运特性。基于上述调研,项目计划构建以2-苯基吡啶分子为中心区分子,以锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)为电极构建分子器件,采用非平衡格林函数(NEGF)结合密度泛函理论(DFT)探究ZGNR电极弯折角度的变化对器件NDR特性的调控作用,探讨获得低偏压、高PVR的分子NDR器件物理规律,以期为深入理解分子器件电子输运特性及其调控和实际应用提供有益的参考。

0 2成果简介

采用非平衡格林函数结合密度泛函理论探讨了以锯齿型石墨烯纳米带为电极,2-苯基吡啶分子为中心区的分子器件的电子输运性质。计算结果表明,器件具有负微分电阻特性,且电极的弯折能够调控该特性,进而获得低峰值电压、高电流峰谷比的负阻特性。分析认为,电极弯折导致器件中心吡啶分子与电极间耦合力减弱,而耦合力的强弱反应了两者间电子波函数交叠的变化,与耦合力密切相关的透射系数对外加偏置电压的变化敏感,由于耦合力减弱,低外加偏压下器件透射系数大幅变化,导致负阻特性对应的电压区间向低电压方向移动,实现了器件负微分电阻特性的调控。其中电极弯折角度为15°时,器件的电流峰谷比值最大为7.83,峰值电压为0.1V。本文工作表明,锯齿型石墨烯纳米带为电极的2-苯基吡啶分子器件表现出了负微分电阻的可调控性,其具有的低偏置峰值电压(0.1V)、高电流峰谷比的负阻特性在低功耗分子电子器件领域具有潜在的应用前景。

0 3图文导读

6c4838ec-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

图1 2-苯基吡啶分子器件结构图,图中所示θ为石墨烯电极弯折角度

6c835c60-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

图2 器件M1-M4的I-V特性曲线图

6c9aeec0-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

图3 器件M1-M4在+0.1V、+0.2V、+0.6V、+0.8V和+1.0V的透射谱图

6cb7fe3e-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

图4 平衡态下(Vb=0)器件M1-M4的透射谱图



图5 平衡态下(Vb=0)器件M1-M4的态密度图(a)及Ef处的实空间散射态分布图(b)

表1器件M1-M4的峰值电流(Ip)、谷值电流(Iv)、峰谷电流比(PVR)、峰值电压(Vp)

6cf7e80a-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

表2平衡态下器件电极和中心分子在Ef处投影态密度值及其在总态密度降低值的贡献

6d18d6dc-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

表3器件M1-M4在零偏压、+0.1V、+0.2V、+0.6V和+1.0V下散射态实空间分布图,色坐标参考图5(b)

6d39935e-02c0-11ee-90ce-dac502259ad0.png

0 4小结

本文采用鸿之微Nanodcal软件探讨了锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)电极弯折对2-苯基吡啶分子器件负微分电阻特性的调控机理由I-V特性及透射谱随偏压的变化说明,器件具有NDR特性,且ZGNR电极弯折能够调控NDR特性,提升器件的负阻性能。分析认为,ZGNR电极弯折后器件的2-苯基吡啶分子与ZGNR电极间耦合减弱,弱耦合条件下,外加偏压后器件的透射系数因能级的移动和偏压的变化而产生大幅波动,故器件M2-M4在外加低偏置电压(0.1V或0.2V)处即出现大的透射系数,产生峰值电流Ip,降低了器件的Vp值,且增大了PVR值,NDR对应的电压区间向低偏压方向移动。

平衡态下器件M1-M4的透射谱、态密度和散射态实空间分布图解释了ZGNR电极弯折后器件的中心分子与电极间的耦合减弱,由投影态密度计算结果解释了二者间耦合减弱是源于ZGNR电极弯折。电极弯折改变了中心分子与电极间电子的相互作用,使两者间的波函数交叠发生变化是器件中心2-苯基吡啶分子与ZGNR电极间耦合减弱的主因。因此,分子器件的电子输运性质不仅取决于中心分子和电极的固有特性,两者间耦合强弱的变化对其输运特性也产生显著影响。本文中高对称结构的分子器件,通过控制电极弯折角度能够调控中心分子与电极间耦合的强弱进而影响了器件的输运特性。

ZGNR电极弯折后,器件M2-M4的NDR均较M1表现出Vp减小,PVR增大,其中电极弯折角度为15°时,器件M2的PVR值最大为12.84,Vp值减小至0.1V,其所获得的低Vp、高PVR的负阻特性在低功耗分子电子领域具有潜在的应用前景。





审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DFT
    DFT
    +关注

    关注

    2

    文章

    236

    浏览量

    23458
  • PVR
    PVR
    +关注

    关注

    0

    文章

    5

    浏览量

    9016
  • 偏置电压
    +关注

    关注

    0

    文章

    154

    浏览量

    13609

原文标题:文献赏析|吡啶环分子器件电子输运特性研究(邢海英)

文章出处:【微信号:hzwtech,微信公众号:鸿之微】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    功率半导体器件——理论及应用

    功率半导体器件的使用者能够很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的结构、功能、特性和特征。另外,书中还介绍了功率器件的封装、冷却、可靠性工作条件以及未来的材料和
    发表于 07-11 14:49

    利用普源示波器进行功率器件动态特性测试的研究

    功率器件作为电子系统中的核心元件,其动态特性直接影响着系统的效率、稳定性和可靠性。因此,对功率器件动态特性的准确测试显得尤为重要。普源示波器
    的头像 发表于 06-12 17:03 ?241次阅读
    利用普源示波器进行功率<b class='flag-5'>器件</b>动态<b class='flag-5'>特性</b>测试的<b class='flag-5'>研究</b>

    电子塑料元件高低温试验的必要性研究

    问题。电子塑料元件的特性及高低温试验的重要性电子塑料元件主要由高分子聚合物制成,其性能会随温度变化而发生显著改变。在高温环境下,塑料的分子
    的头像 发表于 05-26 15:18 ?917次阅读
    <b class='flag-5'>电子</b>塑料元件高低温试验的必要性<b class='flag-5'>研究</b>

    什么是功率器件特性是什么?包含哪些?

    功率器件定义与核心特性 功率器件(Power Semiconductor Device)是电力电子领域的核心组件,特指直接处理电能的主电路器件
    的头像 发表于 05-19 09:43 ?332次阅读

    氧化镓器件研究现状和应用前景

    在超宽禁带半导体领域,氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。泰克中国区技术总监张欣与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授,围绕氧化镓器件
    的头像 发表于 04-29 11:13 ?604次阅读

    电机控制器电子器件可靠性研究

    控制器电子器件在储存状态下的可靠性。纯分享帖,需要者可点击附件获取完整资料~~~*附件:电机控制器电子器件可靠性研究.pdf 【免责声明】本文系网络转载,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请第一时间告
    发表于 04-17 22:31

    图表细说电子器件(建议下载)

    资料介绍本文档共9章内容,以图文同页的方式细说了常用的11大类数十种电子器件,介绍元器件的识别方法、电路符号识图信息、主要特性、重要参数、典型应用电路、检测方法、修配技术、更换操作、
    发表于 04-17 17:10

    Keithley高压静电计的SiC器件兆伏级瞬态击穿特性研究

    一、引言 1.1 SiC材料在高压电力电子领域的应用背景 碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁带宽度、3.7×106 V/cm的临界击穿电场、高热导率等
    的头像 发表于 03-31 13:36 ?343次阅读
    Keithley高压静电计的SiC<b class='flag-5'>器件</b>兆伏级瞬态击穿<b class='flag-5'>特性</b><b class='flag-5'>研究</b>

    电磁屏蔽高分子材料的最新研究动态与进展

    ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 电磁屏蔽高分子材料 研究进展 ? 高分子物理 目前,国家对太空环境的研究高度重视。其中木星探测面临极端辐射环境,传统屏蔽材料难以满足
    的头像 发表于 02-18 14:13 ?979次阅读
    电磁屏蔽高<b class='flag-5'>分子</b>材料的最新<b class='flag-5'>研究</b>动态与进展

    三大电功能高分子材料介绍

    分子材料。 一、导电高分子 导电高分子是一类能够传导电流的高分子材料。这类材料的出现,打破了传统高分子材料绝缘的局限,为
    的头像 发表于 01-22 18:08 ?2374次阅读

    分子半导体的特性与创新应用探索

    引言 ? 有机高分子半导体材料,作为一类具有半导体特性的有机高分子化合物,近年来在电子器件、光电器件、传感器以及能量转换与存储等领域展现出了
    的头像 发表于 11-27 09:12 ?1660次阅读
    高<b class='flag-5'>分子</b>半导体的<b class='flag-5'>特性</b>与创新应用探索

    单组份氧胶用于电子产品

    电子产品电子器件的粘接与密封粘接电子器件:单组份氧胶可以牢固地粘接各种
    的头像 发表于 11-08 10:19 ?935次阅读
    单组份<b class='flag-5'>环</b>氧胶用于<b class='flag-5'>电子</b>产品

    影响电子器件性能的因素

    在现代电子技术中,电子器件的性能对于电子产品的质量和可靠性至关重要。 一、材料特性 导电材料 :电子
    的头像 发表于 10-29 16:19 ?1130次阅读

    电子器件采购指南

    元件:工厂在加工产品是没有改变分子成分产品可称为元件,不需要能(电)源的器件
    的头像 发表于 09-26 11:08 ?987次阅读

    TPS2583X-Q1特性评估与优化

    电子发烧友网站提供《TPS2583X-Q1特性评估与优化.pdf》资料免费下载
    发表于 09-25 10:58 ?0次下载
    TPS2583X-Q1<b class='flag-5'>环</b>路<b class='flag-5'>特性</b>评估与优化