相位正交(I/Q)混频器HMC524ALC3B概述
HMC524ALC3B紧凑型砷化镓（GaAs）、单片微波集成电路(MMIC)，相位正交(I/Q)混频器。符合RoHS标准的无铅表面贴装（SMT）陶瓷封装。
能够用作图像抑制混频器或单边带上变频器。并且该混频器使用两个标准的双路平衡混频器。使用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°的混合耦合器，该耦合器由砷化镓金属半导体场效应晶体管（MESFET）制造。
效应晶体管（MESFET）工艺制造。一个低频正交混合器产生一个100MHz的中频输出。
混合式图像拒绝混频器和单边双工的一个更小的替代方案。拒绝混频器和单边带上变频器组件。该HMC524ALC3B消除了对线束的需要，使用表面贴装制造技术。
HMC524ALC3B应用
点对点无线电设备
点对多点无线电和VSAT
测试设备和传感器
军事终端用途
编辑：黄飞
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原文标题：HMC524ALC3B——相位正交(I/Q)混频器
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