短路耐受能力与自启动-电子发烧友网

ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低了开关损耗，促进了白色家电和工业设备等电机驱动器和变频器应用的低功耗化发展。R60xxMNx系列新品是以“不仅保持现有R60xxFNx系列的高速trr性能，还要进一步降低导通电阻和Qg（栅极总电荷量）并降低损耗”为目标开发而成的。一般而言，导通电阻和Qg存在权衡关系，但利用ROHM独有的工艺技术和优化技术优势，实现了两者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商标。

开关损耗和传导损耗更低

短路耐受能力是指MOSFET在短路时达到损坏程度需要的时间。一般而言，当发生短路时，会流过超出设计值的大电流，并异常发热引起热失控，最后可能导致损坏。要提高短路耐受能力，就涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。R60xxMNx系列通过优化寄生双极晶体管（热失控的原因），使同样也是电机驱动应用中一个非常重要的课题–短路耐受能力得以提升。不仅trr速度更快，而且与竞争产品相比短路耐受能力大大提高。

抑制自启动带来的损耗

自启动是指当关断状态的MOSFET的Vds急剧变化（从0V到施加电压）时，MOSFET的寄生电容充电导致Vgs超出阈值，MOSFET短时间导通的现象。这种额外的导通时间当然就成为损耗。

其典型案例是在同步整流转换器中在低边开关处于关断状态下高边开关导通的时间点发生这种自启动。这就需要减缓高边开关的导通时间以抑制dV/dt，或在低边开关的栅极-源极间增加外置电容以提高余量等外置电路对策。

而R60xxMNx系列则通过降低并优化寄生电容，从而将自启动带来的损耗控制在最低程度。

R60xxMNx系列

封装	用途	产品名称	极性 (ch)	VDSS (V)	ID (A)	PD(W) (Tc＝25°C)	RDS(on)(Ω)	Qg Typ. (nC)	trr (Typ.) (ns)	驱动电压 (V)
TO-252	开关	R6010MND3	N	600	10	143	0.28	0.38	20	80	10
☆R6008MND3	600	8	115	0.45	0.61	13.5	65
R6007MND3	600	7	95	0.54	0.73	10	60
TO-220FM	R6030MNX	600	30	90	0.11	0.15	45	90
☆R6020MNX	600	20	72	0.19	0.25	30	85
TO-3PF	R6047MNZ	600	47	102	0.06	0.081	70	105
TO-247	R6076MNZ1	600	76	740	0.04	0.055	115	135
R6047MNZ1	600	47	440	0.06	0.081	70	105
VGS＝10V
Typ.	Max	VGS＝10V