全球首款2nm芯片问世 可容纳500亿颗晶体管
美国企业IBM正式推出2nm芯片，采用GAA环绕栅极晶体管技术，使芯片体积更小，速度更快，性能大大提升。IBM 2nm芯片还首次使用了底部电介质隔离技术和内层空间干燥处理技术。
IBM 2nm芯片与7nm相比，性能提升45%，能耗下降75%，电池使用寿命提升至之前的四倍，最小单元甚至要比人类DNA单链还要小。在指甲盖大小的芯片上可以容纳500亿颗晶体管，晶体管密度为333.33，是台积电5nm的两倍。
全球首款2nm芯片的问世，将对全球整个半导体行业和先进制程工艺有着至关重要的意义，IBM 2nm芯片还处在实验室阶段，距离真正投入量产还需花费数年时间。
综合整理自镁客网、e企学平台
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
460文章
52742浏览量
444390 -
IBM
+关注
关注
3文章
1831浏览量
76029 -
晶体管
+关注
关注
77文章
10052浏览量
142639 -
2nm
+关注
关注
1文章
212浏览量
4830
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
AI需求飙升！ASML新光刻机直击2nm芯片制造，尼康新品获重大突破
7月16日，全球三大光刻巨头之一的日本尼康公司宣布，正式推出全球首款专为半导体后道工艺设计的无掩模光刻系统——DSP-100，这款设备为先进封装量身定制，可以
曝三星S26拿到全球2nm芯片首发权 三星获特斯拉千亿芯片代工大单
Performance Body-bias）方案的验证。Exynos 2600是全球首款2nm手机芯片。 如果三星Exynos 2600
今日看点丨蔚来自研全球首颗车规5nm芯片！；沃尔沃中国区启动裁员计划
低延时，快速响应。”此外，李斌还表示，这款芯片对全行业开放，谁想用都可以找我们，还可以降本。 ? 据悉，神玑NX9031芯片和底层软件均实现自主设计，拥有超过500亿
发表于 07-08 10:50
?1681次阅读
算力存储：首款2nm定制SRAM来了！
电子发烧友网综合报道，Marvell 美满电子当地时间 17 日宣布推出业界首款 2nm 定制 SRAM，可为 AI xPU 算力设备提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上缓存。Marvell
下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了！
晶体管的密度，同时减少了芯片的横向面积。
相比传统的FinFET和纳米片晶体管，叉片晶体管能够显著减少nFET和pFET之间的间距，从而在相同的芯片
发表于 06-20 10:40
台积电2nm良率超 90%！苹果等巨头抢单
当行业还在热议3nm工艺量产进展时，台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛！据《经济日报》报道，台积电2nm芯片良品率已突破 90%，实现重大技术飞跃！
多值电场型电压选择晶体管结构
多值电场型电压选择晶体管结构
为满足多进制逻辑运算的需要，设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路，实际上是对电压的一种选择，而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂
发表于 04-15 10:24
手机芯片进入2nm时代，首发不是苹果？
电子发烧友网综合报道，2nm工艺制程的手机处理器已有多家手机处理器厂商密切规划中，无论是台积电还是三星都在积极布局，或将有数款芯片成为2nm工艺制程的首发产品。 ? 苹果A19 或A2
发表于 03-14 00:14
?1817次阅读
台积电分享 2nm 工艺深入细节：功耗降低 35% 或性能提升15%!
下），同时其晶体管密度是上一代3nm制程的1.15倍。这些显著优势主要得益于台积电的全栅极（Gate-All-Around, GAA）纳米片晶体管、N2 NanoFlex设计技术协同优
IBM与Rapidus在多阈值电压GAA晶体管技术的新突破
Rapidus 的 2nm 制程生产流程之中。 IBM 宣称，当制程推进到 2nm 阶段时，晶体管的结构会从长久以来所采用的 FinFET（鳍式场效应晶体管）转换为 GAAFET（全
联发科携手台积电、新思科技迈向2nm芯片时代
近日，联发科在AI相关领域的持续发力引起了业界的广泛关注。据悉，联发科正采用新思科技以AI驱动的电子设计自动化（EDA）流程，用于2nm制程上的先进芯片设计，这一举措标志着联发科正朝着2nm芯
世芯电子成功流片2nm测试芯片
近日，高性能ASIC设计服务领域的领先企业世芯电子（Alchip）宣布了一项重大技术突破——成功流片了一款2nm测试芯片。这一里程碑式的成就，使世芯电子成为首批成功采用革命性纳米片（或全能门GAA）
Rapidus计划2027年量产2nm芯片
Rapidus，一家致力于半导体制造的先锋企业，正紧锣密鼓地推进其2027年量产2nm芯片的计划。然而，这一雄心勃勃的目标背后，是高达5万亿日元（约合336亿美元）的资金需求。
NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管
浅析高压晶体管光耦
晶体管光耦是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器，通过光电效应和晶体管放大特性，实现电信号的光学隔离与传输、确保信号稳定可靠。
工商网监
评论