东芝半导体开发低功耗节能属性IGBT器件

IGBT因其优异的电气属性和性价比在业界被广泛应用，特别是在工业控制领域几乎随处可见IGBT的身影。作为功率半导体的家族分支，不仅融合了BJT和MOSFET的优点，还进一步提升了控制速度和精度，同时具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。而今天要给大家介绍的是由东芝半导体新研发的具备低功耗节能属性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家电产品能耗进一步降低。

基本电气属性综述

首先GT30N135SRA拥有小而简的T0-247封装结构，是基于RC-IGBT功率半导体系列更新迭代的第6.5代产品，此款产品内置了一颗续流二极管芯片（FWD），进一步保证了IGBT对整个电路系统的稳定性。当TC＝100℃，Ta＝25℃时，其集电极电流额定值为30A，此时对应的低集电极-发射极饱和电压VCE为1.65V，低二极管正向电压VF为1.75V，通过降低传导损耗来降低设备的功耗，在有限电源供给的系统电路上能够发挥出传奇的特色。

动态特性分析

IGBT的快速响应时间是衡量是否具备实时特性的一个重要的指标，为了更好的说明GT30N135SRA拥有高速的开关特性，设计了GT30N135SRA分别在阻性电路和容性电路、感性电路中的开关时间及其开关损耗来进一步分析说明。

测试结果表明当输入VCE＝25V，VGE＝0V时，此时电路处于截止状态，IC＝0A。当VCE＝25V，VGE＝15V时，此时电路处于导通状态，IC从0A突变到饱和状态效率为90%，其开关频率达到了f＝100kHZ。

在容感性电路中可以看到，由于电容电感需要充放电的特性，因此电压和电流在整个突变过程中并不是呈现出线性特性，其损耗计算公式为Eoff＝

。即总功耗＝通态损耗（与饱和电压VCEsat有关）+开关损耗（EoffEon）。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾，互为消长。

引领家电消费市场

随着IGBT的声名鹊起在整个功率半导体行业掀起了一波新浪潮。因其前身是MOS与BJT技术集成的产物，因此绝大多数应用在工业产品上，但随着节能减排的指导方针兴起，大多数家电产品也迎来了革新，新颖的低功耗功率半导体器件也会给整个家电市场带来新的前景。所以GT30N135SRA在软开关应用，电磁炉、微波炉（家电产品），电压谐振变频开关应用中能够展现出奇的效果。

东芝半导体是全球领先的半导体生产设计制造公司，多年来持续耕耘在功率半导体研发上，经验丰富的设计实验室及优异的研发团队也一直致力于研发创新、提升芯片的功能属性和稳定特性。