季丰电子新增应用在MOS等高压IV Curve和高压热点定位
季丰电子新增加高压IV Curve和高压热点定位，主要应用在MOS，SiC，IGBT等高压产品的失效分析，IV Curve扫描电压范围在±3000V，通过IV Curve好坏品对比，我们可协助判断坏品是否有异常，一般的失效模式为：Short，Open，Leakage，High resistance，找到异常的条件后再进行下一步的热点定位分析。
热点定位机台有InGaAs，OBIRCH，Thermal三种，均可通过IC正面或背面进行定位，找出缺陷位置，目前InGaAs&OBIRCH最高电压可达到3000V，而Thermal可进行非破坏定位，协助判断是封装异常还是IC异常。
热点定位机台主要应用为：
高压定位原理：
（a） IC frondside 影像+OBIRCH ；（b） OBIRCH signal
（a） IC frondside 影像+InGaAs ；（b） InGaAs emission
编辑：jq
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原文标题：季丰电子新增3000V高压IV Curve和高压热点定位
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