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影响led发光效率的因素有哪些

454398 ? 来源:罗姆半导体社区 ? 作者:罗姆半导体社区 ? 2022-12-06 16:23 ? 次阅读
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来源:罗姆半导体社区
发光效率是一个光源的参数,它是光通量与功率的比值。根据情况不同,此功率可以指光源输出的辐射通量,或者是提供光源的能(可以是电能,化学能等)。发光效率中的功率通常要根据情境而定,但在很多情况下都指代不明。
发光效率还可分为外部效率及内部效率;外部效率只考虑输出的光能与投向发光体的光能或电能之比,而且是吸收的能量转化为光能的纯转化效率。输入光由于反射和再吸收受到损失,因此,外部效率总是小于(或接近于)内部效率,后者才是反映能量转换过程的真实参数。
发光效率的大小反映发光体内部能量激发、能量传递、复合发光以及无辐射复合过程的总效果,它与发光体的成分、发光中心的种类及浓度、共激活剂的选择、有害杂质(猝灭中心)的控制以及发光晶体的完整性,甚至与具体的工艺过程有关。
ED发光效率:一般称为组件的外部量子效率,其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率,其实就是组件本身的电光转换效率,主要与组件本身的特性(如组件材料的能带、缺陷、杂质)、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的是组件内部产生的光子,在经过组件本身的吸收、折射、反射后,实际在组件外部可测量到的光子数目。因此,关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。
而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积,就是整个组件的发光效果,也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率,主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构,使电能不易转换成热能,进而间接提高LED的发光效率,从而可获得70%左右的理论内部量子效率,但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。在这样的状况下,光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的,因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。目前的方法主要是:晶粒外型的改变--TIP结构,表面粗化技术。
LED的光效=LED的光通量(即流明值)除以(正常电流驱动下的电压值和电流的乘积),比如:3528贴片规格 20mA 驱动时的电压为3.1V,光通量 8.5lm 那么它的光效就是:8.5/(3.1*0.02)=137 lm/W。
市场上功率型LED高流明效率一般产品规格大约处在50lm/W左右,还达不到家庭日常照明的要求。因此,要使功率型白光LED真正进入照明领域,实现家庭日常照明,需要解决的问题很多,其中重要的就是发光效率。尽管能够影响白光LED发光效率的因素有很多种,不过以下几种因素值得大家注意:
1、萤光粉激发光谱的宽窄也会影响出光的光效。
2、颗粒度比较大的萤光粉会直接降低发光强度,也成为了不少萤光粉厂的致命伤。
3、能直接影响白光LED的寿命是萤光粉的抗衰老性,其次是环氧树脂的抗衰老性。
4、LED的基板载片区或反射杯引线框架(支架)的反射效率的好坏,也是影响发光强度的关键因素。

审核编辑黄昊宇

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