台积电2nm GAA工艺研发进度提前，有望2024年正式量产
本周，围绕台积电的2nm先进制程传来利好消息。
其2nm GAA工艺研发进度提前，目前已经结束了路径探索。供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产，2024年正式量产。
GAA即环绕栅极晶体管，是FinFET（鳍式场效应晶体管）的取代。FinFET由华人科学家胡正明团队研制，首发于45nm，目前已经推进到5nm。
不过在5nm或者4nm之后，台积电和三星出现了些许分歧，三星将在3nm就开始应用GAA晶体管，台积电则是2nm。
台积电董事长刘德音（Mark Liu）最新表态称，位于台中的工厂有望扩充，以为2nm增加更多产能支持。
尽管台积电在今年二季度拿到了全球晶圆代工营收的一半，可三星的追赶步伐并未停歇。今年的RTX 30系列显卡GPU核心、部分骁龙SoC等均选择三星代工。
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