曝麒麟820将采用三星6nm工艺 预计将会由nova机型首发
华为自研的麒麟810无疑是一颗相当强悍的顶级产品，推出后，在数月内连续霸榜安兔兔中端手机榜，成为中端机型最强处理器，没有之一。
至于原因，当然是它领先对手的7nm工艺制程、达芬奇架构NPU、A76大核等一系列旗舰级的配置。即便面对全新的骁龙765G、Exynos 980，其性能表现也不落下风。
所以人们对麒麟810继任者也充满期待。近日，有消息人士爆料称，麒麟820也将是一颗没有成本限制的旗舰级处理器。
据悉麒麟820将采用三星的6nm工艺制程，比台积电7nm工艺使用更多的EUV层，可以提供额外18%的密度改进，依然领先对手半年时间。
架构上，麒麟820可能会升级为A77大核，GPU与NPU方面则尚不明确，此外，麒麟820极有可能集成了5G基带，并支持双模5G网络。
消息人士称，麒麟820将会在今年第二季度量产，但何时出货未知，预计将会由nova机型首发，并陆续普及到荣耀10X等机型上。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
华为
+关注
关注
216文章
35260浏览量
256549 -
麒麟处理器
+关注
关注
2文章
83浏览量
9091
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
曝三星S26拿到全球2nm芯片首发权 三星获特斯拉千亿芯片代工大单
我们来看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首发权 数码博主“刹那数码”爆料称，三星
看点：三星电子Q2利润预计重挫39% 星动纪元宣布完成近5亿元A轮融资
给大家带来一些业界资讯： 三星电子Q2利润预计重挫39% 由于三星向英伟达供应先进存储芯片延迟，三星预计
三星代工大变革：2nm全力冲刺，1.4nm量产延迟至2029年
在全球半导体代工领域的激烈竞争中，三星电子的战略动向一直备受瞩目。近期，有消息传出，三星代工业务在制程技术推进方面做出重大调整，原本计划于2027年量产的1.4nm制程工艺，
回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组
深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线，收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线，收购三星指纹排线，全国高价回收三星指纹排线，专业求购指纹
发表于 05-19 10:05
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上
发表于 04-18 10:52
千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
次公开了?SF1.4（1.4nm?级别）工艺，原预计?2027?年实现量产。按照三星当时的说法，SF1.4?将纳米片的数量从?3?个增加到?
千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺?
次公开了 SF1.4（1.4nm 级别）工艺，原预计 2027 年实现量产。按照三星当时的说法，SF1.4 将纳米片的数量从 3 个增加到
手机芯片进入2nm时代，首发不是苹果？
电子发烧友网综合报道，2nm工艺制程的手机处理器已有多家手机处理器厂商密切规划中，无论是台积电还是三星都在积极布局，或将有数款芯片成为2nm工艺
发表于 03-14 00:14
?1707次阅读
三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟
据韩媒报道，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本，三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率
三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期
据韩媒MoneyToday报道，三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星
三星重启1b nm DRAM设计，应对良率与性能挑战
nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P，其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似，显示出
三星电子：18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）今年上半年，三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出18nm FD-SOI
发表于 10-23 11:53
?676次阅读
三星电子或2026年将HBM4基底技术生产外包给台积电
据媒体报道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电，并计划采用12nm至6nm的先进
三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
据韩国媒体最新报道，三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着
工商网监
评论