碳化硅(SiC)是近五年以来备受关注的第三代半导体,SiC功率器件的研发从1970年代就开始了,到了1980年代,SiC晶体质量和制造工艺获得了大幅改进,90年代末,除了美国之外,欧洲和日本也开始投入资源进行研发。此后,行业开始加速发展。
到2001年英飞凌推出了第一款SiC器件------300V~600V(16A)的SiC肖特基二极管(SiC SBD),接着科锐(Cree)在2002年推出了600V~1200V(20A)的SiC肖特基二极管,主要用在开关电源控制和和电机控制中,随后ST、罗姆、飞兆和东芝等都纷纷推出了相应的产品。而SiC晶体管(SiC JFET)和SiC MOSFET则分别在2006年和2011年才面世。
图1:SiC功率器件发展历程。(资料来源:Yole,电子发烧友)
最近几年,由于MOSFET技术开始被市场所接受,包括心理门槛和技术门槛,SiC市场开始了较快地增长。根据2019年Yole发布的SiC市场报告,2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元,该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%,也就是说到2024年,SiC的市场规模将达19.3亿美元。
SiC玩家有哪些?
与集成电路的制造类似,SiC器件的生产也有IDM和Fabless模式两种。目前主要以IDM模式为主。SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块环节,以及下游的应用环节。因此,SiC产业链内的玩家其实有不少,其中份额最大的当属美国的Cree,根据Yole最新的报告,它占了整个SiC功率器件市场的62%,它具有多年的SiC衬底生产经验,它旗下的Wolfspeed也是一家射频和功率器件公司拥有垂直一体化的生产能力。
图2:SiC电力电子器件产业链企业。(来源:长江证券)
在器件和模块方面,目前技术最强的还是罗姆、英飞凌和Wolfspeed等国外厂商。国内的厂商技术与他们相比差距还比较大,国内主要还是做SiC肖特基二极管为主。不过好消息是,差距在缩小,也内人士认为,差距的原因主要是国内起步比较晚,研发也就做了十年左右,而国外企业的研发至少已经做了25年了。SiC技术,尤其是SiC二极管技术,不是特别复杂,只要企业愿意去做,沉下心去做,几年后基本就可以做稳定了,但SiC MOSFET的技术要更难,要追上来需要更长的时间。像现在的泰科天润的SiC二极管产品已经在国内卖了很多年了,也获得了行业的一些认可。
在代工厂方面,目前SiC产业内还没有真正的代工厂,据说也没有有产线的企业愿意给别人代工。所以国内的SiC Fabless企业一般都是要去找***的代工厂商,比如汉磊科技。国内的基本半导体就是一家Fabless的SiC企业。
这几年,国内有不少企业新进入了SiC领域,其实要想在SiC领域活下来,也不容易。首先要有足够的资金投入,因为它是一个高投入的行业,据业内人士透露,不说其他投资,就一个SiC制造厂的水电费,一个月也得200多万,因此,没有足够的资金支持是很难坚持下去的;其次是上下游的支持情况,上游能否拿到好材料,器件在下游能否卖出去,开始可能需要自己投资,对市场有一定的掌控力。三是技术团队很重要。
当然,国内的SiC企业有一个最大的问题,那就是上游材料不能把控,存在进不到货的问题。现在高端的衬底和外延片基本都是需要进口的。但如果上游国内自主衬底和单晶厂商能取得突破,相信过几年情况就能好转了。
SiC带来的工程挑战
我们都知道SiC的好处是具有更低的阻抗、更高的运行频率和更高的工作温度。比如SiC的开关频率一般为10KHz~10MHz,且还在发展中;其理论耐温超过了400℃,即使受目前封装材料所限,也能很容易做到225℃。
当然,更高的耐高温有好处,比如无需水冷,可以把设备的尺寸做得更少。但它的这些特性其实也会带来一些其他的工程挑战。比如当SiC器件工作在225℃时,其他周边器件该如何处置,要都用能耐这么高温的器件,那成本又是一个大问题。
来自CISSOID的首席应用工程师Abel Cao曾总结了SiC功率器件的应用给工程设计带来的挑战。在他看来主要有五大挑战。
一是结构设计和导热设计。传统工艺主要采用DCB导热衬底、Die组合、引线键合、模塑填料或者灌封的方式进行结构设计,这些多数为单面散热,双面的效能有限;Die的空间位置,决定了散热差异和寄生电容差异。这些都不适合SiC器件的结构和散热设计了,SiC的高温,需要新封装材料和工艺。
二是杂散电感和分布电容。按照目前的拓扑结构,分支太多,寄生电感太大,各个支路寄生电感不一致,热不平衡。
四是可靠性设计和寿命规划。这包括在目标环境温度下,要求的寿命期限;高温寿命模型;以及如何验证的问题,因为目前民用好像还没有175℃的试验标准。
五是系统设计的演进能力。这包括新品的持续演进和产品概念的持续演进。
结语
SiC功率器件随着技术的进步和市场接受度的提高,开始进入了快速成长期,这期间肯定会有不少新的进入者参与到这个市场当中,也会出现一些新的应用,希望这些新的进入者能够耐得住寂寞,能够给整个产业链赋能,共同将这个产业做大,做好。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
功率器件
+关注
关注
42文章
1947浏览量
92995 -
SiC
+关注
关注
32文章
3241浏览量
65636 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3081浏览量
50643
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能单相IPM模块系列!我们以全新ESOP-9封装与新一代技术,赋能客户在三大核心维度实现飞跃性提升:效率跃升、空间减负、成本优化与可靠性保障
发表于 07-23 14:36
国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突
Wolfspeed破产重组 SiC行业格局生变
近日,行业先驱Wolfspeed被曝拟通过破产保护程序实施业务重组。这一动向折射出SiC产业激烈竞争下的洗牌趋势,也凸显中国供应链的快速崛起对传统巨头的冲击。作为最早布局SiC领域的龙头企业

通用变频器中SiC(碳化硅)功率模块替代传统IGBT模块改变工业能效格局
结合国家节能改造政策,SiC(碳化硅)功率模块替代传统IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块在电机通用变频器中的应用潜力巨大,其影响将深刻改变工业能效格局。以下从政策驱动、技术优势、经济性、行业

SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计
问题,因此,需要增加缓冲吸收电路来抑制 SiC 模块关断过程中因振荡带来的尖峰电压过高的问题 。文献 [7-11] 通过对双脉冲电路进行仿真和实验研究,给出了缓冲吸收电路参数的优化设计方法,但都是以关断
发表于 04-23 11:25
碳化硅(SiC)功率模块方案对工商业储能变流器PCS市场格局的重构
碳化硅(SiC)模块方案(如BMF240R12E2G3)对工商业储能变流器PCS市场格局产生颠覆性的重构: 2025年, SiC模块方案(如BMF240R12E2G3) 凭借效率、成本

安森美SiC cascode JFET并联设计的挑战
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET,内容包括Cascode(共源共栅)关键参数和并联振荡的分析,以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。

沟槽型SiC MOSFET的结构和应用
MOSFET(U-MOSFET)作为新一代功率器件,近年来备受关注。本文将详细解析沟槽型SiC MOSFET的结构、特性、制造工艺、应用及其技术挑战。
蓝牙信道探测技术或改变UWB市场格局
不久前,我们介绍了蓝牙6.0的基本情况,其中最为惊喜的是新增了 蓝牙信道探测(Bluetooth Channel Sounding) 。新技术的入场会对原本的市场格局带来哪些变化?通过拆解技术原理或许能够窥见一二。
SiC的离子注入工艺及其注意事项
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
2025年SiC芯片市场大揭秘:中国降价,产业变革!
在全球半导体产业快速迭代的背景下,碳化硅(SiC)作为一种新兴的高性能半导体材料,正逐步成为推动新能源汽车、智能电网、高速通信等领域发展的关键力量。近年来,中国SiC芯片市场经历了前所未有的快速发展

评论