氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据中心节约多达 700 万美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:00
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众所周知，氮化镓功率器件为电力电子系统提高频率运行，实现高功率密度和高效率带来可能。然而，在高频下需要对EMI性能进行评估以满足EMC法规（例如EN55022 B类标准）要求。
2023-10-16 14:32:452292 
增加GaNSense?技术，全新GaNFast?氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262211 
了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势
2024-06-11 14:54:183435 的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。
在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
（如处理器）。具有高输入至输出电压比的开关模式功率转换器的效率较低。这些电源管理模块通常涉及多个转换阶段。从中间的54/48伏总线直接转换到处理器内核电压可以降低成本并提高效率。氮化镓凭借其独特的开关
2019-03-14 06:45:11
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。对于氮化镓快充普及浪潮的来临，各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。 任何可以直接从电网获得电力的设备（从智能手机充电器到数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
的效率较低。这些电源管理模块通常涉及多个转换阶段。从中间的54/48伏总线直接转换到处理器内核电压可以降低成本并提高效率。氮化镓凭借其独特的开关特性，成为直接转换架构的强有力候选者。目前正在研究
2018-11-20 10:56:25
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
。在此基础上，增加单管激光器的发光区宽度和长度，单管激光器的光功率可以进一步提升，并结合正在发展的GaN激光器的光束整形和合束技术，将实现更高功率的激光器模组。氮化镓激光器的应用也将更加广泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
降低了产品成本。搭载GaN的充电器具有元件数量少、调试方便、高频工作实现高转换效率等优点，可以简化设计，降低GaN快充的开发难度，有助于实现小体积、高效氮化镓快充设计。 Keep Tops氮化镓内置多种
2023-08-21 17:06:18
信息业的迅猛发展，给通信电源市场带来了巨大的市场机会和挑战，同时对电源提出了一些新的需求，其中高效率是一个最为重要的技术挑战。随着运营商设备的了断增多、用电量急剧增加、机房面积紧张等客观因素的存在
2011-03-10 11:00:12
射频功率放大器被广泛应用于各种无线通信设备中。在通讯基站中，线性功放占其成本比例约占1／3。高效率，低成本的解决功放的线性化问题显得非常重要。因此高效率高线性的功放一直是功放研究的热门课题。
2019-09-17 08:08:11
本文将对AB类与D类放大器进行比较，讨论D类放大器高效率实现原理，并解释了输出为脉宽调制（PWM）波形时还可通过扬声器听到正常声音的原因。
2021-06-04 06:37:20
。ETA80G25支持90-264V输入，支持27W功率输出。芯片支持CCM/QR/DCM运行模式，满载最高开关频率80kHz，轻载下支持频率折返控制，可实现全功率范围内的高效率。从ETA80G25评估
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
PCB加工如何实现高精度和高效率的钻孔呢？有哪些方法和步骤呢？
2023-04-11 14:50:58
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120?sec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120?sec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
极限。而上限更高的氮化镓，可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加，采用氮化镓技术除了能满足能量需求，还可以有效降低碳排放。事实上，氮化镓
2023-06-15 15:47:44
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast? 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast?功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
电器，使用传统的功率开关无法改变充电器的现状。[color=rgb(51, 51, 51) !important]而GaN技术可以做到，因为它是目前全球最快的功率开关器件，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率
2019-07-08 04:20:32
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
单相异步电机如何才能实现高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源，包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
使用氮化镓开关管后，只需一颗氮化镓开关管就能取代两颗传统硅MOS了。氮化镓开关管内部没有体二极管，只需一颗即可实现双向开关，完全阻断电池的充电和放电电流。氮化镓具有低导阻高效率优势，使用一颗氮化镓开关管
2023-02-21 16:13:41
高效率。如图所示，在最高电压（265V）下满载时效率达到99%（此外，控制器的设计包括在轻负载下更高效运行的功能）。 图2.与升压型 PFC 拓扑相比，BTP PFC 控制器具有热和功率密度优势
2023-02-21 16:30:09
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
所示为ADP1043的典型应用电路。其所采用的数字电源技术可帮助实现高效率电源。图1 ADP1043典型应用电路 同步整流技术 同步整流技术是指用导通电阻较低的MOSFET来替代整流二极管，从而
2018-09-26 16:20:00
无线充电怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。
误解2：氮化镓技术不可靠
氮化镓器件自2010年初开始量产，而且在实验室测试和大批量客户应用中,氮化镓器件展现出具备极高的稳健性。EPC器件已经通过数千亿个
2023-06-25 14:17:47
10MHz频率，可承受100w,48V输入电压的高效率的高频驱动电路推荐。
2013-06-15 22:59:29
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
脉冲频率调制是什么？为什么要用脉冲频率调制（PFM）的功率特性来提高电源效率？与PWM模式比较，PFM模式有哪些优势？如何保持PFM模式低负载时的高效率？PFM模式采用了哪几种方法来提高低负载时的效率？
2021-04-15 06:37:51
怎样去设计一种高效率音频功率放大器？如何对高效率音频功率放大器进行测试验证？
2021-06-02 06:11:23
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
IR推出高效率氮化镓功率器件
目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:571143 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.宣布已通过并生产RF3932，这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频
2010-12-01 09:24:301431 氮化镓(GaN)技术超越硅 实现更高电源转换效率——来自安森美半导体Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28 氮化镓功率器件及其应用(二)TI用氮化镓器件实现的DCDC设计方案
2019-04-03 06:13:005414 
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。
2019-03-12 14:08:2535439 氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。
2020-09-09 10:47:0012 %左右。totem pole PFC 无桥 PFC 的结构实现交流到直流的超高效转换，效率可高达 99.2%以上。让用户最最少的空间，最低的成本实现了超高效率的需求。功率管 Q1，Q2，均为 TRANSPHORM 公司的 TP65H050G4WS TO247 封装，可实现 3000W 以下的设计。TP
2022-04-01 14:42:2226 氮化镓技术的出现，通过降低开关损耗和导通阻抗，提高效率，降低发热，减小了快充充电器的体积。
2022-09-28 14:45:221988 的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。 ? 普通消费者了解并接受氮化镓，是从2018年氮化镓PD快充开始的。凭借氮化镓卓越的开关特性，可以高频工作，实现高转换效率，氮
2022-11-30 14:52:25887 
器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。 氮化镓技术是指一种宽带隙半导体材料，相较于传统的硅基半导体，具有相对宽的带隙。所以宽带隙器件可以在高压、高温、高频率下工作。
2023-02-03 14:14:452743 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:334909 
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器市场快速渗透，长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一定的增长潜力。
2023-02-06 16:44:273902 硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:263375 
可换成氮化镓就不一样了，单车变轿车，开关频率得到大幅提升，损耗还更小。如此一来，充电器就能用上体积更小的变压器、电容、电感。。。。。。从而有效缩小充电器体积，降低发热、提高效率。氮化镓充电器是好东西，但是价格也同样不便利，现在一款品牌的氮化镓充电器价格都要200元以上。
2023-02-11 11:36:152286 氮化镓技术是由美国物理学家威廉·贝克（William Beck）于1962年突破的技术。（该答案未能证实） 1993年，Nichia公司首先研制成发光亮度超过lcd的高亮度GaInN/AlGaN异质结蓝光LED，使用掺Zn的GaInN作为有源层，外量子效率达到2.7%，峰值波长450
2023-02-16 17:48:444239 合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231799 、显示等领域。 2. 激光器：氮化镓可制成激光器器件，用于通信、材料加工等领域。 3. 太阳能电池：氮化镓可用于制造高效率的太阳能电池。 4. 无线通讯：氮化镓的高频特性使其成为高速无线通讯的理想材料。 5. 集成电路：氮化镓可制成高性能的微波射频
2023-06-02 15:34:4611148 氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56593 与等效硅基解决方案相比，氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低，因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路，可提高效率、缩小尺寸并降低各种电源转换系统的成本。
2023-09-14 12:49:31291 问题，保护电池和设备的安全。具有高功率和高效率的特性，能够实现快速、高效的能量转换。它可以将输入电源的直流电转换为适合设备充电的电流和电压，最大限度地提高能量转换效率，减少能量损耗。
2023-09-19 17:01:16937 
作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:33843 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:441254 氮化镓充电器伤电池吗？氮化镓充电器怎么选？ 氮化镓（GaN）充电器被广泛认为是下一代充电器技术的关键。与传统充电器相比，氮化镓充电器具有很多优势，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人担心
2023-11-21 16:15:274864 高效能：倍思氮化镓充电器采用先进的氮化镓功率器件，具有高开关频率、高导通电阻等特性，使得电源的转换效率更高，相比传统的硅基电源，能够实现更高的能效。 体积小，重量轻：由于倍思氮化镓充电器的高开关频率和高效率
2023-11-24 11:18:441936 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:153607 、电子设备领域： 1.1 功率放大器：氮化镓技术在功率放大器的应用中具有重要的意义。相比传统的硅基功率放大器，氮化镓功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更宽的频率范围。因此，它们广泛用于射频通信、雷达、无线电和太赫
2024-01-09 18:06:361879 珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
2024-04-10 18:08:091359 
近日，无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）发布了一系列革命性的高能效氮化镓（GaN）功率器件，旨在推动电子器件向更环保的方向发展。
2024-06-12 10:24:24620 氮化镓快充技术主要通过将氮化镓功率器件应用于充电器、电源适配器等充电设备中，以提高充电效率和充电速度。光耦技术作为一种能够将电信号转换成光信号并实现电气与光学之间隔离的器件，为氮化镓快充技术的安全性和稳定性提供了全方位的保障。
2024-06-26 11:15:05405 
本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:18842 
近年来，氮化镓(GaN)技术以其在高功率、高效率和高频率应用中的显著优势，迅速成为半导体行业的焦点。尤其是在人工智能(AI)、智能汽车和新能源等新兴领域的推动下，氮化镓正迎来前所未有的发展机遇
2024-07-24 10:55:20592 
景和技术需求。 氮化镓（GaN）的优势 高频与高效率 ：氮化镓具有高电子迁移率和低电阻率，使得它在高频和高功率应用中表现出色。例如，在5G通信、雷达系统、卫星通信等需要高频工作的领域，氮化镓器件能够提供更高的工作频率和更大的
2024-09-02 11:37:162478
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