GaN中游我们可以将其分为器件设 计、晶圆制造、封装测试三个部分。 作为化合物半导体的一类，与SiC类似，全球产能普遍集中在IDM厂商上，不过相比于SiC，GaN在设计和制造环节正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:45
5405 NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 衬底上的同质外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化镓或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下工作，这将催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:065194 
于2017年，专注于垂直GaN器件的研发和生产，成立以来获得了纽约州合计超过1亿美元的资助，并拥有一家晶圆厂。 ? 值得一提的是，NexGen去年还有多项重大进展，包括他们在年初宣布已开始发运首批700V和1200V垂直GaN器件的工程样品，并且预计在2023年第三季度全面量产。在去年6月，NexGe
2024-02-07 00:08:008364 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，又有国内GaN厂商成功突破1200V GaN器件技术。7月26日，宇腾科技在社交平台上宣布公司自主研发生产的蓝宝石基GaN功率器件工作电压达到1200V，已进入
2024-07-31 01:06:004480 带字库的12864垂直卷动时为什么分成了两屏
2013-04-25 08:59:39
应用，实现新型电源和转换系统。（例如，5G通信电源整流器和服务器计算）GaN不断突破新应用的界限，并开始取代汽车、工业和可再生能源市场中传统硅基电源解决方案。 图1：硅设计与GaN设计的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
存储。在两级使用GaN和超过100 kHz的开关频率极大地提高了当前设计的效率。除了dc-dc转换器，POL转换器和逆变器之外，其他GaN应用包括电机驱动器和D类大功率音频放大器。突破性产品使用eGaN
2017-05-03 10:41:53
GaN为何这么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客户问我关于氮化镓（GaN）可靠性的问题：“JEDEC（电子设备工程联合委员会）似乎没把应用条件纳入到开关电源的范畴。我们将在最终产品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
应用的良好结合，将推动GaN器件在Class D功放中的快速发展，迎来GaN Class D技术的创新时代。
2023-06-25 15:59:21
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
已听到我们的行业代言人宣布，“GaN将迎来黄金发展时间。”这一公告似乎在暗示，GaN已准备好出现在广大听众、用户或为数众多的应用面前。这也表明，GaN技术已经如此成熟，不能认为它是一个有问题的技术
2018-08-30 15:05:41
”就是把手机收起来的意思；最后，我们终于可以起飞了。我们的行业发言人已经宣布，“GaN已经为黄金时间做好了准备。”这个声明似乎预示着GaN已经为广泛使用做好准备，或者说在大量的应用中，已经可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么规格GaN
2021-12-26 19:57:19
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
HAL的主要作用是什么垂直喷锡有什么缺点？
2021-04-23 06:01:04
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
的关键技术部分——射频功率器件也迎来了重大变化。目前基站功率放大器主要为LDMOS技术和GaAs技术。GaN PA由于具有带宽更宽…
2022-11-08 07:37:24
,但有些指标（如传输速率等方面）已超过CCD。 由于CMOS具有诸多优点，国内外许多机构已经应用CMOS图像传感器开发出众多产品。 CMOS传感器关键技术取得突破 CMOS传感器的技术发展跟随
2018-12-04 15:59:27
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源设计的生态系统。 GaN将在电源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
我想使用 swipeContainer。它只能水平滑动。可以垂直滑动吗？
2023-01-13 06:45:15
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 基板的表面处理编号：JFSJ-21-077作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html关键词： GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
晶体学和湿蚀刻的性质? 湿的在基于KOH的化学中，GaN 的化学蚀刻具有高度的各向异性，能够形成垂直和光滑的多面纳米结构。文章全部详情，请加V获取：hlknch / xzl1019? 我们 可以
2021-07-08 13:09:52
已经报道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。湿法蚀刻也已被证明用于蚀刻氮化镓，蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤小等优点，但目前还没有找到生产光滑垂直侧壁的方法。还报道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
镓(Ga) 是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52:03
图像生成对抗生成网络ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
描述基于 PCB 的特斯拉线圈 GaN 版
2022-07-01 08:37:14
天线是什么？天线的环境设计要求有哪些？天线设计问题如何去突破？
2021-07-11 06:18:58
您已了解GaN晶体管出色的性能，您很兴奋。样品总算来到，您将它们放入板中。您打开电源，施加负载，结果……性能并没有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的开关问题。这些晶体管不好。真遗憾。为何出现这种情况？有没有可能遗漏了什么？如何正确理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（非线性模型如何帮助进行
2019-07-31 06:44:26
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
换能器的输出怎么测水平和垂直的
2015-10-20 17:50:24
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34:52
智能设备突破尺寸桎梏
2021-01-12 07:59:22
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
。 GaN等突破性技术的长期影响是显着的：较低的功率损耗意味着我们不需要很多新发电厂来满足日益增长的电力需求。更高的功率密度意味着更多的集成。电池供电电路(例如电动车辆、无人机和机器人中的电路)可以
2018-11-20 10:56:25
X-GaN晶体管在Vds尖峰电压额定值为750V（1微秒）时获得认证。垂直场依赖击穿也在相同的1kV范围内; 松下栅极驱动器IC 松下于2016年底为希望使用GiT快速部署解决方案的开发人员推出了自己
2023-02-27 15:53:50
示波器垂直量测量出现偏差的原因是什么？如何减小示波器垂直量测量偏差？
2021-05-08 09:48:06
示波器的垂直噪声从哪里来？示波器垂直噪声会带来什么影响？
2021-05-10 06:08:48
创新，目前在GaN微波射频领域已取得显著成效，在军事国防领域和民用通信领域两个领域进行突破，打造了中电科13所、中电科55所、zhongxing通信、大唐移动等重点企业以及China移动、China联通等大客户。
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2018-08-04 14:55:07
利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:34
29 TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓（GaN）的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全新特性—功率GaN。高电子迁移晶体管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:153131 如今国产处理器性能已经不弱于国外处理器，中国芯片终于迎来了“芯突破”，到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，保持现有20%的发展速度，必将成为美国的最大竞争对手。
2018-01-22 15:30:052094 创造力一直被认为是人类智能与人工智能最大的差别之一。然而随着技术的发展，近年来人工智能在具有“创造性”的工作中不断突破。之前微软小冰写诗，已经让大家惊叹计算机在文字创作上的大幅提升，如今微软亚洲
2018-04-03 09:54:494112 浙江大学近期首次报道了没有电流折叠（即没有动态导通电阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns，性能也超过了目前最先进的硅（GaN-on-Si）器件上的横向氮化镓。
2018-10-26 17:28:515696 近年来，由于氮化镓(GaN)在高频下的较高功率输出和较小的占位面积，GaN已被RF工业大量采用。
2019-07-01 15:13:352554 
在4月8日晚间的华为春季新品发布会上，期待已久的华为P40系列国行版终于发布，与此同时，华为还带来了一款充电器新品，功率65W。这款充电器属于 GaN（氮化镓）类型，支持双口超级快充（Type-A
2020-07-16 15:24:451324 GaN技术突破了硅基IGBT和SiC等现有技术的诸多局限，可为各种功率转换应用带来直接和间接的性能效益。在电动车领域，GaN技术可直接降低功率损耗，从而为汽车实现更长的行驶里程。同时，更高效的功率
2020-09-18 16:19:173197 人工智能和机器学习已经成为科技行业的热门话题，而想要让它们变得更加智能就必须要提供更多的数据进行训练。NVIDIA 研究部门旗下的生成对抗网络（GAN）近日迎来一个新的里程碑，即便是在非常小的数据集
2020-12-09 16:59:391695 华为正式发布鸿蒙OS2.0手机版，虽然是Beta版，这是一个十分重要的信号，将决定着全球三大系统鼎立的局面，也关系着国产OS崛起的步伐。华为鸿蒙OS迎来的巨大突破，即将带领着国内自研OS迅速崛起，期待这一幕能够尽快到来，或许这也是一场激烈的竞争即将开始。
2020-12-17 11:51:342626 依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管
2021-07-14 16:46:551608 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化镓 (GaN)。尽管迄今为止它在低压应用（大约 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高电子迁移率晶体管 (HEMT) 并不适用于中压（大致定义为 1.2 至 20 kV） ) 应用，包括电动汽车传动系统和许多电网应用。这
2022-07-29 10:35:012053 
GaN 是一种高带隙材料，与硅相比，它允许器件在更高的温度下运行并承受更高的电压。此外，GaN 更高的介电击穿允许构建更薄且因此电阻更低的器件。较低的特性 R DS(on)导致具有较低电容的较小器件。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下运行。
2022-08-08 10:04:592118 
CEO进一步指出，产品样品制造的完成巩固了 Odyssey 作为功率应用垂直 GaN 技术领导者的地位。它需要我们的重要知识产权来制造适用于客户用例的产品。
2023-01-11 09:55:541038 依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN
基准垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:384 由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:215204 
近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:351989 
2035年，60岁及以上老年人口将突破4亿，智能家居适老化迎来发展
2023-01-31 10:44:231378 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:252049 
本文转载自《商学院》杂志，作者：石丹 原标题：欢迎来到“垂直增长”时代 全球科技创新浪潮重塑产业未来，企业将如何驭潮而进？《商学院》杂志专访微软全球资深副总裁张祺博士，他认为，AI 和大模型正在极大
2023-09-15 00:10:031049 
重点摘要 GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。 以业界领先的质量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32777 使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:401814 
GaN的驱动电路有哪些挑战？怎么在技术上各个突破？GaN驱动电路有哪些设计技巧？ GaN（氮化镓）是一种新型的半导体材料，相比传统的硅材料，具有更高的电子迁移率和能力，因此在功率电子领域有着广泛
2023-11-07 10:21:441504 随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:541437 
NexGen认为，将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场可以帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。
2024-01-17 10:36:041095 目前，以传统半导体硅（Si）为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。
2024-01-25 11:04:511617 
该文献进一步透露，实现这一器件所采用的氮化镓外延材料结构包括：1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。
2024-01-25 11:30:10766 
在新一代电力电子技术领域，氮化镓（GaN）技术因其出色的抗辐射能力和卓越的电气性能，已成为太空任务的革命性突破的关键。氮化镓 (GaN) 技术已成为天基系统的游戏规则改变者，与传统硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐辐射能力和无与伦比的电气性能。
2024-02-26 17:23:14985 
横向排列，并被限制在氮化镓内部，但靠近表面在垂直器件中，电场均匀地分布在GaN内。因此，垂直器件可以在不增加芯片尺寸的情况下提高击穿电压。在这两种几何结构中实现GaN的全部潜力的一个主要障碍是器件工作温度。在工作条件下，GaN功
2024-06-04 10:24:41822 
随着全球对高效能电力解决方案的需求日益增加，氮化镓(GaN)技术正在成为功率电子产业的一大亮点。近期，英飞凌和德州仪器等行业巨头对GaN技术的投入不断加大，标志着功率GaN产业的发展即将迎来新一轮
2024-08-15 10:39:24941 
PI近日宣布推出1700V氮化镓(GaN)开关IC，这一技术突破有哪些亮点?它将如何影响高压氮化镓市场? 近日，Power Integrations(以下简称PI)宣布推出InnoMux?-2系列单
2024-11-15 11:09:55834 
垂直和横向氮化镓(GaN)器件的集成可以成为功率电子学领域的一次革命性进展。这种集成能够使驱动和控制横向GaN器件与垂直功率器件紧密相邻。在本文中，我们将总结一种解决横向和垂直器件隔离问题的方法
2025-01-16 10:55:52715 
近日，日本丰田合成株式会社宣布了一项重大技术突破：成功开发出用于垂直晶体管的200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。
2025-01-23 16:46:06858 随着DeepSeek这类通用大模型的普及，接下来会迎来更加精细化的垂直行业模型，那么哪些垂直行业会率先受益？以下是DeepSeek的整理预测，供大家参考。
2025-02-10 15:44:38853 尺寸小得多、工作频率高得多的AlN/GaN HEMT。 该团队的突破涉及原位钝化和使用选择性刻蚀工艺添加再生长重掺杂n型接触。 AlN/GaN HEMT是一类极具前景的晶体管，可用于射频和功率器件
2025-06-12 15:44:37285 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年一月，电子发烧友网曾报道专注于垂直GaN器件的美国GaN IDM初创公司NexGen Power Systems破产倒闭；而在今年3月，另一家位于美国纽约州的垂直
2024-04-06 00:04:004755 
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