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日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方案。与AOS上一代产品相比，该系列产品在高负载条件下能够保持较低导通损耗的同时，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。新品在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不仅通过AEC-Q101车规认证，更具备更长的使用寿命和高湿高压反偏（HV-H3TRB）耐受能力。
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随着电动汽车 (EV)、人工智能数据中心和可再生能源系统对电力需求的激增，电源转换环节的能效损耗将大幅加重供电与散热系统负担。在电动汽车应用领域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程师打造更高功率密度与能效的系统架构，有效降低电池能耗并延长续航里程。对于采用800V或±400V高压直流架构的下一代AI数据中心，该产品系列通过降低损耗与提升功率密度，能够满足持续增长的电力需求。AOS第三代1200V器件将成为支撑这些高系统电压新拓扑架构的关键元件，为行业提供不可或缺的高效解决方案。
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AOS全新第三代1200V MOSFET现产品采用TO27-4L封装，提供15毫欧（AOM015V120X3Q）至40毫欧（AOM040V120X3Q）导通电阻（Rds(on)）选项。公司还计划陆续推出采用表面贴片封装、顶部散热封装及模块封装的同系列产品。针对大功率电动汽车牵引逆变器模块应用，AOS已完成第三代1200V/11毫欧大尺寸晶圆的认证工作，现开放晶圆销售。
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"电动汽车与AI技术正在重塑产业格局，但这对电力系统提出了更高要求——必须在能源需求激增时仍保持高效运行，"AOS宽禁带半导体产品副总裁David Sheridan表示，"我们很高兴新一代αSiC MOSFET在满足客户性能需求的同时，还能为环境保护作出积极贡献。"
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AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，专为高功率应用能效优化而生
- MOSFET(217607)
- AOS(468)
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是德科技第三代半导体动静态测试方案亮相IFWS
2023年11月29日，第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)和“第三代半导体标准与检测研讨会”成功召开，是德科技参加第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)，并重磅展出第三代半导体动静态测试方案
2023-12-13 16:15:031240
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为什么说第三代骁龙8s恰逢其时？
日前，高通举办新品发布会，推出了骁龙8旗舰移动平台诞生以来的第一款新生代旗舰平台：第三代骁龙8s，这是高通对骁龙旗舰移动平台的一次层级扩展，同时意味着广大消费者未来在旗舰手机市场也将会有更多丰富
2024-03-21 21:04:193398
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高通推出第三代骁龙7+移动平台
在科技日新月异的今天，高通技术公司再度引领行业风向标，正式推出备受瞩目的第三代骁龙7+移动平台。此次更新不仅将终端侧生成式AI技术首次引入骁龙7系列，更在AI模型支持方面实现了跨越式进步。
2024-03-25 10:23:351698
1698Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581175
1175纳微正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以
2024-06-11 15:46:17916
916纳微半导体发布第三代快速碳化硅MOSFETs
纳微半导体作为GaNFast?氮化镓和GeneSiC?碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:441224
1224瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证
认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。
2024-06-24 09:13:201133
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Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用?MPS?结构设计，额定电流?5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:121003
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN
2024-07-24 09:26:20474
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第三代半导体产业高速发展
当前，第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业高速发展。其中，新能源汽车市场的快速发展是第三代半导体技术推进的重要动力之一，新能源汽车需要高效、高密度的功率器件来实现更长的续航里程和更优的能量管理。
2024-12-16 14:19:55654
654第三代半导体器件封装：挑战与机遇并存
一、引言随着科技的不断发展，功率半导体器件在电力电子系统、电动汽车、智能电网、新能源并网等领域发挥着越来越重要的作用。近年来，第三代宽禁带功率半导体器件以其独特的高温、高频、高耐压等特性，逐渐
2025-02-15 11:15:30519
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SemiQ第三代SiC MOSFET：车充与工业应用新突破
SemiQ最新发布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级，芯片面积缩小20%，开关损耗更低，能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业
2025-03-03 11:43:43803
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SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块：高效能、超快开关与卓越热管理
近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于
2025-04-25 11:39:28238
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工商网监
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