对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。在做信号控制以及驱动时，为了加快控制速度，经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成：上P下N，上N下P。其原理图分别如下所示。
2023-05-25 14:09:52
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1N60、1N60P_小电流低压降_肖特基二极管1N60、1N60P_小电流低压降_肖特基二极管
2013-05-14 15:51:59
32P读卡芯片FM1702N资料下载内容主要介绍了：FM1702N功能和特点FM1702N引脚功能FM1702N内部方框图
2021-04-15 07:37:15
和地址／数据线之间的接通转接。（4）数据输出的驱动和控制电路，由两只场效应管（FET）组成，上面的那只场效应管构成上拉电路。在实际应用中，P0口绝大部分多数情况下都是作为单片机系统的地址／数据线
2022-09-19 19:26:41
找不到联系方式，请在浏览器上搜索一下，旺贸通仪器仪温馨提示：如果您找不到联系方式，请在浏览器上搜索一下，旺贸通仪器仪N1921A P系列宽带功率传感器，50 MHz至18 GHz主要特性与技术指标当连接到被
2020-05-14 11:05:31
如果用N76E003的P2.1口作为按钮，要求平时没按下时为高电平，按下时为低电平，是不是要上拉输入，该怎么做，是要加上拉电阻还是怎么设置，请问各位大佬
2018-06-05 19:55:19
N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 在纯净的电子发烧友体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中
2016-10-14 15:11:56
想必电路设计的设计师在选择MOS管是都有考虑过一个问题，是该选择P沟MOS管还是N沟MOS管？作为厂家而言，一定是想要自己的产品能够以更低的价格来竞争其他的商家，也需要反复推选。那到底该怎么挑选呢？具有丰富经验的飞虹MOS管厂家这就为大家分享。
2019-01-24 17:48:59
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言，p 沟道耗尽型 MOSFET 只是 n 沟道耗尽型 MOSFET的倒数。在这种情况下，预构建通道由夹在严重
2023-02-02 16:26:45
的选择选型之前我们要清楚MOS管的原理：MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
的正号。 束缚电荷不能穿过晶体，因为原子核被共价键紧紧地束缚在晶格中。 两种材料，p型和n型，都是电中性的。 图1.P型和N型材料。 多数承运人和少数承运人 P材料中的空穴和N材料
2023-02-23 16:46:46
P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导
2021-10-28 10:07:00
、P沟道增强型MOSFETP沟道增强型MOSFET采用轻掺杂N衬底进行简单设计。在这里，两种重掺杂的P型材料通过一定沟道长度分开，薄二氧化硅层沉积在通常称为介电层的基板上。在P沟道增强型MOSFET中
2022-09-27 08:00:00
MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。 MOSFET多数是载流子器件， N沟道
2018-03-03 13:58:23
在进行1个IO口控制两个LED灯的实验前，先了解一下GPIO的特性（以STM32为例）一、推挽输出与开漏输出的区别 1.推挽输出 推挽输出，顾名思义就是既可以输出高电平，又可以输出低电平。以
2021-07-22 06:43:48
CHINO KR2S6P-N8A记录仪 CHINO KR2S6P-N8A记录仪代理日本CHINO记录仪吴经理：0755-26998458/132,4667,5433工作Q：11398788日本
2019-04-15 17:58:22
的生活方式有两种，第一种方式是像草一样活着，你尽管活着，每年还在成长，但是你毕竟是一棵***吸收雨露阳光，但是长不大。人们可以踩过你，但是人们不会因为你的痛苦，而产生痛苦；人们不会因为你被踩了，而来怜悯你
2019-04-08 17:24:53
CHINO记录仪 AH473P-N0A-NNN 代理日本千野CHINO仪器仪表吴经理:0755-26998458/ 132,4667,5433工作Q: 1139878854地址：深圳市南山区南海大道
2019-04-08 17:23:46
的原因，主要是沟道材料的电气性能不一样。在N沟道中参与导电的是电子，而在P沟道中参与导电的是空穴，两者在单位电场强度下的迁移率相差非常大。电子的迁移率远远大于空穴的迁移率，即N沟道的导电性能要比P沟道
2012-05-22 09:38:48
EM78P173N是***义隆单片机MCU在153上的升级款。
2018-04-09 11:51:18
我想使用PiSP0.1和P0.4（焊盘5和9）作为中断，这两个中断都通过CyBLY-01400—00上的下降沿触发。我在这两个电路中分别使用了两个引脚来触发中断，但在程序中同时使用它们也遇到困难。我
2019-01-22 13:06:14
，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。推挽输出模式推挽输出模式下，通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值，途经P-MOS管和N-MOS管，最终输出到I/O端口。这里要注意P-MOS管
2020-08-26 07:47:09
-MOS都正常工作，开漏输出模式下，只有下面的N-MOS工作，上面的P-MOS不工作。注意：输出模式没有上拉下拉配置。推挽输出（Push-Pull Output）推挽输出的结构是由两个三极管或者MOS管受到
2022-02-28 06:48:51
代理 KR2S2P-N0A千野无纸记录仪详询请致电: 吴经理（***,***,***）工作Q：1139878854 无纸记录仪是将工业现场的各种需要监视记录的输入信号，比如流量计的流量信号
2020-07-07 16:59:31
代理 KR2S6P-N0A千野记录仪详询请致电: 吴经理（132,4667,5433）工作Q：1139878854 无纸记录仪是将工业现场的各种需要监视记录的输入信号，比如流量计的流量信号
2020-07-07 16:58:29
KR2S6P-N2A，KR2S2P-N0A 记录仪 KR2S6P-N2A，KR2S2P-N0A 记录仪 代理日本千野CHINO仪器仪表吴经理:0755-26998458/ 1324，667，5433
2019-03-08 14:55:53
KV Mask 0N86P 勘误手册
2022-12-09 06:16:21
做了个STC控制的L298N驱动模块，电路如下 网上的经典电路，我的VSS口上的5V是和单片机芯片上的供电5V同一个电源，不知道是不是这个原因，搞得的高频差出问题了，原来P2.0与P2.1的高低电势差有5V的，可是我连接好线路，找了两天问题才发现他们只有2V，晕死，我该咋办，求助
2019-04-25 06:35:14
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
，比如学习板上的加速度传感器或者语音处理模块供电？问题二：如果对不用的引脚采用一个下拉低电平，和直接一个输入低电平，在两种情况下端口电流和漏电流的情况是怎么样的？如果现在端口配置是按上面程序配置成上拉，然后输入一个高电平，此时的端口电流消耗与直接输入一个高电平（没有上拉电阻）电流消耗有什么区别？
2019-04-27 21:21:40
嘿，我目前正在使用4种不同的Keysight网络分析仪。 1.（N5230C 10MHz-40Ghz PNA-L）2。（N5235A 10MHz-50GHz PNA-L）3.（N
2018-09-30 16:35:52
，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。总结与分析****1、什么是推挽结构和推挽电路？ 推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候
2022-12-22 18:10:27
分之一数量级的比例掺入。5、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象?答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。P型半导体与N型
2010-07-10 16:12:55
都没有改动，但采出来的rx_frame_s却有问题，差分对N较P有一个时钟的延迟，想不通为什么，希望各位能够帮忙解释下。上图，
2018-09-25 11:38:30
开门见山，Linux下的如中IO模型：阻塞IO模型，非阻塞IO模型，IO复用模型，信号驱动IO模型，异步IO模型，见下图 接下来一一讲解这5种模型 阻塞型IO：最简单的一种IO模型，简单理解
2019-10-09 16:12:11
两种方式：a、$ find / -name mysql–print 查看是否有mysql文件夹b、$ netstat -a –n 查看是否打开3306端口
2019-07-26 07:46:06
从金手指过来的ref_clk_p 接到了FPGA的MGTREFCLK1_nref_clk_n接到了MGTREFCLK1_p。这样会影响PC检测pcie设备么？目前是大概率检测不到设备。偶尔能够检测到。尝试过把n、p飞线，但是难度系数太高，连接好了，也没有成功识别到设备
2019-07-25 21:58:25
在 8MMINILPD4-EVK 中，它使用 9FGV0241AKLF 为 M.2 连接器的 REFCLK_N/P 生成时钟。为什么直接使用 I.MX8 Mini 的 PCIE_CLK_N/P (A21/B21)？
2023-03-22 07:41:08
PHY和RJ45之间的网络变压器输入输出端的相位关系是什么，为什么变压器输入输出端的差分信号要一一对应（即P端和P端 对应，N端和N端对应）？
2019-07-26 11:05:03
为啥第八部视频的mos管驱动上管采用N管和P管，而下管采用推挽输出，并且下管的驱动信号为什么不直接推挽输出的基极，而通过两个三极管把相位取两次反
2018-10-25 14:36:08
。 2 .了解实际电源的两种模型及其等效变换。 3 .了解非线性电阻元件的伏安特性和静态电阻、动态电阻的概念以及简单的非线性电阻电路的图解分析法。第1章电路的分析方法、1.3.3电压源和电流源的等效变换、图...
2021-09-06 07:57:33
：（A-B、B-A、A/B 和 B/A） 两年校准周期找不到您要找的吗？请试用我们的特殊选件。利用下载的软件轻松进行测量N1911A/12A P 系列功率计得到 Keysight BenchVue
2020-07-30 17:57:58
，Spartan 3E（XA3S250E）micro的差分对上的P和N引脚可以通过软件配置分别在内部制作N和P（即它们的输出极性反转）吗？我问的原因是我们正在连接另一个具有相同差分引脚的IC，这意味着所有差分对都
2020-03-09 09:18:46
电流源是一种非常常用的电路，如工业中4-20mA输出，LED恒流驱动，以及一些传感器可能也需要恒流驱动等。本篇文章介绍两种常见的压控电流源电路的设计。废话不多说，直接看图：电路很简单，运放+晶体管
2021-07-30 07:31:57
1、MSO的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2、他们
2019-09-11 07:30:00
N76E003将P02（CLK）引脚配置为上拉端口，且该引脚处于悬空状态。主要是用该引脚作为遥控学习控制端口，引脚为低电平时进入学习状态，平时在上拉作用下为高电平。
最近发现一奇怪现象，通过P
2023-08-31 09:14:01
在击穿区域工作而不会损害其特性。实际应用是雪崩、击穿或齐纳二极管。P-N结击穿的两种机制是齐纳效应和雪崩效应。当耗尽层中的电场产生的电力足以将电子从共价键中撕裂，形成电子-空穴对时，就会发生齐纳效应
2023-02-22 17:19:08
）。首先,对传统键盘作一个简单的介绍。 一、传统键盘的介绍 键盘的结构通常有两种形式：线性键盘和矩阵键盘。在不同的场合下,这两种键盘均得到了广泛的应用。 线性键盘由若干个独立的按键组成,每个按键
2012-02-15 22:02:49
MOSFET，也可以直接驱动。对于一个桥式电路的上下桥臂，上管使用P沟道的功率MOSFET，可以直接驱动，驱动电路设计简单。如果上管选用N沟道的功率MOSFET，那么必须采用浮驱或自举电路，驱动电路
2016-12-07 11:36:11
1.同步旋转坐标系下的数学模型1.1 dq坐标系下的定子电压方程1.2 dq坐标系下的定子磁链方程1.3 定子电压方程变换式及等效电路由上述两个方程，可以得到定子电压方程的新等式：电压等效电路如下
2021-09-03 07:20:48
这是我设计的一个单片机驱动光耦控制电机转停的电路，大家看下电路设计对吗？单片机在光耦驱动位拉高引脚，输出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
大家帮我看看这两种电路的接法对吗？用于51单片机的输出口。如果对的话，帮我分析下哪个好？
2016-10-15 11:31:57
您能否举例说明如何激活 i.MX RT1170-EVK 微控制器相应引脚 U15 和 T15 上的 CLK1_P(CCM_CLK1_P) 和 CLK1_N(CCM_CLK1_N) 信号，以便能够在这些引脚上生成一些信号。
2023-03-24 06:24:16
本文基于梅森信号流图理论，讨论了n阶滤波器的信号流图设计方法，成功设计出了一种新颖的基于CCCII和MOCCCII实现的n阶多功能滤波器电路模型，该电路能实现低通、高通和带通滤波功能。该电路结构简单，含有最少的元件，且电路中所有电容均接地，易于集成。
2021-04-08 07:01:17
你好！我正在研究一个项目，我需要使用差分信号。我正在使用Artydevelopment平台（围绕Artix-7?FPGA设计），我在生成两个差分信号（P和N）时遇到了一些问题。我使用示波器通过将其
2020-08-13 09:33:58
是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2021-04-09 09:20:10
开关管HTM040N03 / HTM040N03P+丝印TM040N03P 优势出售。产品信息供应芯片：HTM040N03 / HTM040N03属性：输出VBUS开关管丝印：TM040N03P关于
2021-01-11 17:42:53
必须有一个驱动电路。 这种驱动电路有两种形式: 其中的一种是采用一只N型三极管(npn或n沟道)，以npn三极管为例，就是e接地，b接内部的逻辑运算，c引出，b受内部驱动可以控制三极管是否导通但如果
2019-05-24 09:07:33
最小球差的形状因子和位置因子的关系式：q=-2(n^2-1)p/(n+2)其中：位置因子p=2f/s-1=1-2f/s';形状因子q=(r1+r2)/(r1-r2)这个公式如何推导？{:soso_e118:}
2012-01-26 11:07:39
松下电磁灶电路图-KY-p2N型
2008-07-13 15:44:04
如，当P1.2口检测到高电平是，单片机P1.0口输出一种方波，1S后输出另外一种方波(两种方波大小差别较大就行）当P1.2口检测到低电平是，单片机P1.0无输出。 当P1.3口检测到高电平是，单片机
2016-11-22 22:59:46
别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 69 ns 典型接通延迟时间: 21 ns功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择
2020-03-05 11:00:02
今天看书才发现有两种电压源电流源等效变换, 之前一直没注意. 1. 我以前一直是 电压源和电阻串联, 电流源和电阻并联的模型. 这可以解释得通 I*R = U2. 今天发现高频书上是 电流源和电导
2016-03-14 14:31:54
单片机最小系统，即单片机能正常工作的最简单的电路。复位电路是单片机最小系统的组成部分之一。对于不同单片机，复位方式有高电平复位和低电平复位，从而相对应地就有两种复位电路，高电平和低电平复位电路，本文以上电复位为例，简单谈谈这两种复位电路的工作原理。高电平上电复位电路...
2022-01-17 08:52:21
原文链接，转载请注明出处：https://www.icxbk.com/article/detail/913.htmlMOS在电路设计中是比较常见的，按照驱动方式来分的话，有两种，即：N-MOS管
2019-08-29 21:03:22
达成这样目的的元件。我们在半导体硅里进行两种参杂，如上图上两个小u型槽里进行N型参杂，其他的地方进行P型参杂，这样N型参杂与P型参杂的界面会形成耗尽层。上下电路微电路一，左右连接N极的为电路二。由于
2023-02-14 15:15:13
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为Bulk或Body）上，形成两个高
2023-02-10 15:58:00
芯片最底层的原理二进制运算，所以我们要用最基本的电子元件来模拟1和0，通电为1，不通电为0。接下来我们就介绍一下可以达成这样目的的元件。我们讲解一下MOSFET。我们在半导体硅里进行两种参杂，如上图
2023-02-14 15:19:49
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:07 编辑
论坛上.P后缀名的文件用什么打开呢！！遇到过的盆友解释下论坛上.P后缀名的文件用什么打开呢！！
2011-12-26 20:01:43
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 16:58 编辑
最近选择TI视频编解码芯片的时候，发现模拟视频输入端有两种类型：①4组P-N组合的差分类型，比如TVP5158，②3组R
2018-05-28 04:52:37
请问74HC245N可以用40H245P代替吗？两者有什么区别
2013-09-08 11:46:55
N76E003AT20芯片因为管脚有限，准备将P02引脚（ICP_CLK）可以复用为普通IO（推挽输出）,可以吗？有什么限制或者BUG要注意。
2023-06-28 07:27:07
大家好，请问一下，P***hx与P***作USB转串口时，电路是怎样的？我在网上找了好多P***hx与P***的电路图，但两者的电路图一样的。而实际的datasheet中，两者的脚位又有差别。看到这
2019-06-06 02:28:27
各位开发者： 大家好。我使用的DSP开发板为TMDXLCDK6748，看了TI公司提供的资料，在开发板上开发程序主要有两种方式：一种是裸机开发，需要安装StarterWare，另一种是在BIOS下开发程序，现在想了解下这两种方式有什么区别，各自的优缺点，哪一种方式能让新手更快的上手？谢谢。
2019-01-14 14:12:53
麻烦问下，CH552E的p3.6和p3.7可以配置为推挽输出模式吗，程序上写了，但是实测没效果呢。Port3Cfg(1,6);Port3Cfg(1,7);P36=1;P37=1;
2022-05-30 08:37:08
在超高速线路中，对于部分SysB3014-BZXC，我能在差分对中翻转N和P吗？
2019-09-10 13:11:14
通常三极管采用A的方法接做成推挽电路，那么这里吧三极管换成MOS管后，两种接法有什么不一样?（事实上我也不知道如果就是三极管我也懂两种接法有什么不一样）求前辈们指点迷津!
2016-08-05 19:54:26
请问一下无线局域网的两种网络结构是什么？
2023-05-09 16:22:11
请问不使用AD9779A的管脚SYNC_I_P/SYNC_I_N时，这两个管脚怎么处理？
谢谢！
2023-12-19 07:00:47
请问不使用AD9779A的管脚SYNC_I_P/SYNC_I_N时，这两个管脚怎么处理？谢谢！
2018-09-21 14:45:44
这两种芯片都可以用在什么领域上？
2021-06-18 14:40:04
如图所示，这个功率放大电路算推挽输出吗？图中L6是变压器。如果是推挽输出的话为什么用的放大管是一样的，不应该是一个N一个P吗？帮忙分析下
2016-12-14 16:58:35
逆变电路几种拓扑结构，半桥不是推挽的一种吗？半桥和推挽的原理，谁来普及下！
2022-12-15 18:59:30
AWMF-0224 双通道中频收发器 IC 如有需求欢迎联系AWMF-0224 是业界首款完全集成的双通道 IF 上/下转换器，带有集成 PLL/VCO LO 合成器。该半双工
2024-01-02 11:57:33
AWMF-0218 37-43.5 GHz 中频上/下转换器 ICAWMF-0218 是一款高度集成的硅变频 IC，适用于 5G 相控阵应用。当与 Anokiwave 的波束形成器 IC
2024-01-02 13:12:55
在做信号控制以及驱动时，为了加快控制速度，经常要使用推挽电路。 推挽电路可以由两种结构组成：分别是上P下N，以及上N下P。 其原理图如下所示。
2023-03-13 14:04:2312451 
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